倒装芯片技术中无铅凸点电迁移研究
论文简述了半导体芯片互连凸点的电迁移现象及其基本理论，综述了国内外的研究现状，设计了倒装芯片封装技术中无铅凸点电迁移的研究内容和试验方案。进行了电迁移的试验研究和数值计算，并且深入探讨和分析了影响电迁移的因素。研究发现，当电流密度超过电迁移门槛值时，电流密度的增加显著的减短了中值失效时间。这主要是由...
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