代码保护功能处于持续发展中。Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip 代码保护功能的行为均可视 为违反了《数字器件千年版权法案（Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的 软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
标签： Microchip Digital Mille 代码
上传时间： 2013-12-01
上传用户：manking0408
代码保护功能处于持续发展中。Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能。任何试图破坏Microchip 代码保护功能的行为均可视 为违反了《数字器件千年版权法案（Digital Millennium Copyright Act）》。如果这种行为导致他人在未经授权的情况下，能访问您的 软件或其他受版权保护的成果，您有权依据该法案提起诉讼，从而制止这种行为。
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上传时间： 2016-02-18
上传用户：13160677563
专辑类----可编程逻辑器件相关专辑 微型机继电保护原理-216页-6.3M.rar
上传时间： 2013-06-26
上传用户：梧桐
专辑类-可编程逻辑器件相关专辑-96册-1.77G 微型机继电保护原理-216页-6.3M.pdf
上传时间： 2013-04-24
上传用户：qqiang2006
有机发光显示器件(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)作为下一代显示器倍受关注，它具有轻、薄、高亮度、快速响应、高清晰度、低电压、高效率和低成本等优点，完全可以媲美CRT、LCD、LED等显示器件。作为全固化显示器件，OLED的最大优越性是能够与塑料晶体管技术相结合实现柔性显示，应用前景非常诱人。OLED如此众多的优点和广阔的商业前景，吸引了全球众多研究机构和企业参与其研发和产业化。然而，OLED也存在一些问题，特别是在发光机理、稳定性和寿命等方面还需要进一步的研究。要达到这些目标，除了器件的材料，结构设计外，封装也十分重要。 本论文的主要工作是利用现有的材料，从绿光OLED器件制作工艺、发光机理，结构和封装入手，首先，探讨了作为阳极的ITO玻璃表面处理工艺和ITO玻璃的光刻工艺。ITO表面的清洁程度严重影响着光刻质量和器件的最终性能；ITO表面经过氧等离子处理后其表面功函数增大，明显提高了器件的发光亮度和发光效率。 其次，针对光刻、曝光工艺技术进行了一系列相关实验，在光刻工艺中，光刻胶的厚度是影响光刻质量的一个重要因素，其厚度在1.2μm左右时，光刻效果理想。研究了OLED器件阴极隔离柱成像过程中的曝光工艺，摸索出了最佳工艺参数。 然后采用以C545T作为绿光掺杂材料制作器件结构为ITO/CuPc(20nm)/NPB(100nm)/Alq3(80nm)：C545T(2.1％掺杂比例)/Alq3(70nm)/LiF(0.5nm)/Al(1,00nm)的绿光OLED器件。最后基于以上器件采用了两种封装工艺，实验一中，在封装玻璃的四周涂上UV胶，放入手套箱，在氮气保护气氛下用紫外冷光源照射1min进行一次封装，然后取出OLED片，在ITO玻璃和封装玻璃接口处涂上UV胶，真空下用紫外冷光源照射1min，固化进行二次封装。实验二中，在各功能层蒸镀完成后，又在阴极的外面蒸镀了一层薄膜封装层，然后再按实验一的方法进行封装。薄膜封装层的材料分别为硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)。分别对两种封装工艺器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、发光光谱及寿命等特性进行了测试与讨论。通过对比，研究发现增加薄膜封装层器件的寿命比未加薄膜封装层器件寿命都有所延长，其中，Se薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.4倍，Te薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了两倍多，Sb薄膜封装层的增加将器件的寿命延长了1.3倍，研究还发现薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能。最后，分别对三种薄膜封装层材料硒(Se)、碲(Te)、锑(Sb)进行了研究。
上传时间： 2013-07-11
上传用户：liuwei6419
在现代电网中，随着超高压、大容量、远距离输电线路的不断增多，对电力系统的安全稳定运行提出了更高、更严格的要求。距离保护作为线路保护的基本组成部分，其工作特性对电力系统的安全稳定运行有着直接和重要的影响。为了适应现代超高压电网稳定运行的要求，微机保护装置在硬件和软件上都提出了越来越高的要求。 高速数字信号处理芯片（DSP）技术的发展，为开发一种速度快、处理能力强的微机保护系统奠定了基础。在这样的背景下，我们采用DSP芯片和ARM处理器，设计了一个并列式双处理器微机保护系统。该系统采用一个DSP芯片负责控制数据采集、采样数据处理，实现保护功能。ARM微处理器承担人机接口管理，通过串行通信方式实现与DSP端口之间的数据通信，丰富的通讯接口，使得与上位机的通讯、下载程序定值灵活方便。新的微机保护装置不断推出，投入运行的微机保护装置不允许用来进行试验、培训，该装置还可作为试验教学系统，供学生学习认识微机保护装置的内部结构，并可自行设计保护算法、编制程序，通过上位机下载到实验装置，完成相应保护功能的测试。 本文实现了微机保护方案的整体软硬件设计，内容包括DSP2812微处理器芯片，ARM7微处理器LPC2220芯片，开关量输入／输出电路、数据采集电路、通讯和网络接口电路、人机界面的显示板电路，文中对各部分电路的功能、特点以及器件的选择、引脚连接进行了详细介绍。系统采用模块化设计，采用双CPU并行处理模式，针对基于LPC2220微处理器的监控管理系统，完成了最小系统设计，详细完成了启动电路的设计。 本文初步设计了人机操作界面，给出了软件设计的流程图，将实时操作系统μC/OS-Ⅱ与模块化硬件设计相结合，共同构成一个可以重复利用的软硬件数字系统平台，除了可以最大限度地提高开发的效率、减少资源的浪费外，还可以通过长期对于该平台的研究，逐步优化平台软硬件资源，提高其性能，并满足日益复杂的应用需求。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：superhand
·论文摘要：由dsPIC30F 组成的微机继电保护装置，采用双CPU 系统的硬件、软件结构，并以12 路模拟量的采集、改进的傅氏算法，系统外围器件少，结构简单，能够进行复杂的保护算法，满足多种通信要求，具有良好的市场前景。
上传时间： 2013-04-24
上传用户：lwx1888
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。
上传时间： 2014-01-25
上传用户：hz07104032
由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理，从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电，以保护CMOS器件不受损伤。
上传时间： 2013-11-05
上传用户：yupw24
绪论 3线性及逻辑器件新产品优先性计算领域4PCI Express®多路复用技术USB、局域网、视频多路复用技术I2C I/O扩展及LED驱动器RS-232串行接口静电放电(ESD)保护服务器/存储10GTL/GTL+至LVTTL转换PCI Express信号开关多路复用I2C及SMBus接口RS-232接口静电放电保护消费医疗16电源管理信号调节I2C总线输入/输出扩展电平转换静电放电保护 手持设备22电平转换音频信号路由I2C基带输入/输出扩展可配置小逻辑器件静电放电保护键区控制娱乐灯光显示USB接口工业自动化31接口——RS-232、USB、RS-485/422继电器及电机控制保持及控制：I2C I/O扩展信号调节便携式工业（掌上电脑/扫描仪） 36多路复用USB外设卡接口接口—RS-232、USB、RS-485/422I2C控制静电放电保护 对于任意外部接口连接器的端口来说，静电放电的冲击一直是对器件可靠性的威胁。许多低电压核心芯片或系统级的特定用途集成电路(ASIC)提供了器件级的人体模型(HBM)静电放电保护，但无法应付系统级的静电放电。一个卓越的静电放电解决方案应该是一个节省空间且经济高效的解决方案，可保护系统的相互连接免受外部静电放电的冲击。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：mikesering
