电容屏和电阻屏区别_静电感应，需要导体接触屏幕才会有反应，所以，不需要很用力，只要手指轻轻触摸屏幕即可被识别。
上传时间： 2013-10-13
上传用户：lizhizheng88
要延长低功率应用中的电池工作时间，采用一种经过优化设计的电源非常重要。首先，必须选择正确的电源架构：其次，必须了解这些架构中有哪些特性可以优化。
上传时间： 2013-11-24
上传用户：bcjtao
本设计的基准电压和反馈电路采用常用的三端稳压器TL431来完成，在反馈电路的应用中运用采样电压通过TL431限压，再通过光电耦合器PC817把电压反馈到SG3525的COMP端。 由于TL431具有体积小、基准电压精密可调，输出电流大等优点，所以用TL431可以制作多种稳压器。其性能是输出电压连续可调达36V，工作电流范围宽达0.1～100mA，动态电阻典型值为0.22欧,输出杂波低。其最大输入电压为37V，最大工作电流为150mA，内基准电压为2.5V，输出电压范围为2.5～30V。 TL431是由美国德州仪器(TI)和摩托罗拉公司生产的2.5～36V可调式精密并联稳压器。其性能优良，价格低廉，可广泛用于单片精密开关电源或精密线性稳压电源中。此外，TL431还能构成电压比较器、电源电压监视器、延时电路、精密恒流源等。
上传时间： 2013-10-21
上传用户：mpquest
连接器通常被分为两大类，即信号类和电源类。两类之间的主要区别在于工作电流和电压。 一般来说，信号连接器触点传输的电流少于1安培，且在低到中 等电压下工作。电源类触点传输较高的电流（> 1安培） ，且在中高电压下工 作。电源连接器可制成不同的级别，从IC插座到电缆连接系统。用于测评连接 器在其使用寿命中的稳定性的关键度量是连接器的接触电阻。接触电阻是体电阻(Rbulk)、膜电阻(Rf)和紧缩电阻的组合，并存在于电路中使用可分离界面时。
上传时间： 2013-11-02
上传用户：梧桐
着重对变频器驱动三相交流电动机带大位能负载下放时，变频器电气制动动态过程进行分析，依据制动转矩和制动过程时间的要求，合理计算制动单元和制动电阻，并对轮胎式集装箱门式起重机(RTG)的起升变频器制动单元和制动电阻进行校验，以获得理想的快速制动特性。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：liuwei6419
本文研究LDO稳压器等效串联电阻（ESR）值的稳定范围。用LDO稳压器ac模式讨论LDO频率响应。检验稳定和非稳定ESR范围。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：xwd2010
电路器件和电路本身的尺寸远小于工作于电路的电磁波的波长。电磁波通过电路的时间是瞬时的。整个实际电路可看作是电磁空间的一个点，可以用足够精确反映其电磁性质的一些理想电路元件或它们的组合来模拟实际元件。这种理想化的电路元件称为集中参数元件。可以认为，电磁能量的消耗都集中于电阻元件，电能只集中于电容元件，磁能只集中于电感元件。这些二端子的集中参数元件，其电磁性能可用端电流和端电压来描述，而端电流和端电压仅是时间的函数，与空间位置无关。
上传时间： 2013-10-12
上传用户：515414293
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
6N137的结构原理如图1所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
上传时间： 2014-03-24
上传用户：skhlm
为分析基于LCL滤波器的双馈风电网侧变换器在不同电流反馈控制结构情况下的工作性能， 采取PI控制器对网侧变换器网侧电流反馈控制结构和变换器侧电流反馈控制结构的电流闭环根轨迹进行分析，对其在理想电网无阻尼电阻和有阻尼电阻、非理想电网无阻尼电阻3种情况下的特性进行了比较。分析及仿真结果表明变换器侧电流反馈控制结构控制算法相对较复杂，但是系统稳定性好，电网电流的谐波畸变率较低；而电网侧电流反馈控制结构较易实现网侧单位功率因数控制，但稳定性较差。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：huql11633
