基于ADS的C波段的低噪声放大器仿真设计
低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电...
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低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一,文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管,设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益,该电...
文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm ×13 mm ,厚度为0.6 mm),功能可靠、稳定。放大器芯片采用3SK318YB,该芯片具有高增益、低噪声等特点。...
资料->【C】嵌入系统->【C0】嵌入式综合->【4】单片机论文->硕士毕业论文->245GHz+CMOS工艺低噪声放大器的设计.pdf...
The SIEMENS Grounded Emitter Transistor Line is a completely new generation of siliconbipolar ju...
介绍了用标准的1.5 pun P阶COMS数字电路工艺加工的512像素CMOS APS图像传感器线阵。采取了3种技术,改进了芯片性能:①为提高灵敏度采用了带防反射膜的混合的P勺N和P阱/N光电...