基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真
文件是基于Multisim的MOS管H桥驱动仿真,电路原理图由LM317恒流源电路、两个IR2011PBF半桥驱动电路、MOS管组成的全桥电路,可用于设计恒流电路和H桥驱动电路。
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MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第二册.rar
资料->【C】嵌入系统->【C2】IC设计与FPGA->【1】IC设计与封装测试(CMOS、半导体、集成电路)->MOS大规模集成技术 第一册.rar
This application note will offer a method to voltage controlor amplitude modulate the output cur
资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【1】标准规范(国标、行标、安规、规范)->【国标 GB】->GB 2421、2423 电工电子产品基本环境试验规程->GBT2423.25-1992 电工电子产品基本环境试验规程 试验zam ...