介绍了平均电流控制BOOST—PFC电路的原理，建立了电流环和电压环的小信号简化模型，讨论了觑环反馈环节的设计原则和方法，提出最优设计的思想和敷学模型，并以一种BOOSTPFc电路为例进行优化设计，计算模拟结栗显示优化后有关指标好于优化前。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：781354052
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
上传用户：wanqunsheng
当光照较弱时漏电电阻对光电流的影响较小，而对开路电压的影响较大 当光照较强时，二极管电流远大于漏电电流，此时并联电阻对光电池影响较小，串联电阻对开路电压机会没有影响，但对短路电流影响很大。 所以要制备并联电阻较大但串联电阻较小的光电池，提高其填充因子FF。 砷化镓电池的旁路电阻大于1K，对输出特情基本没有影响，当总串联电阻增加到5时，电池的转换效率就要下降30%，可见串联电阻对砷化镓太阳能电池的影响是较大的，最近对于硅电池，要求实用化的产品的串联电阻在0.5以下。 影响太阳能电池转换效率的一些因素 主要以硅电池为例 光生电流的光学损失，有三种：
上传时间： 2014-01-21
上传用户：离殇
浅谈8051单片机编程中C语言代码优化
上传时间： 2013-11-13
上传用户：ABC677339
本内容介绍了Keil C编译器编程规则和代码优化，要实用好单片机就必须清楚它的内部结构组织结构，无论是在芯片的选择还是代码的编写
上传时间： 2013-10-16
上传用户：yuanxiaoqiang
目前，我国单片机的应用领域主要是工业生产过程控制，数据采集与处理、实时控制及优化控制。单片机应用带来了巨大的经济效益，提高了效率，降低了成本，提高了产品质量，推动着生产力的发展。本次设计主要介绍单片机的应用实例，加深了对单片机的理解，进一步开拓视野，为今后应用微机解决生产实际问题起了一个入门的作用。通过本次设计，我掌握了解决问题的思路和方法．使自己分析问题和解决问题的能力大为提高。
上传时间： 2013-10-20
上传用户：qweqweqwe
在单片机应用系统中，用户必须时刻掌握系统的运行状况及某些重要的过程信息，即用户必须通过显示系统获取当前单片机的运行情况，因此显示技术是单片机的重要组成部分。在实际应用中，为了节约端口资源和整机成本，通常采用单片机的通用串行口、8位移位寄存多闪烁现象越严重。本文介绍一种利用SPI器件优化单片机显示系统的方法，该方法克服了一般显示方法的以上两个缺点，具有一定的实用性。器74LS164及LED数码管构成串行动态显示系统，该系统一定程度优化了显示输出通道对单片机I/O端口的占用数量，但它仍需大量（几个LED就占用几条I/O口线）的I/O端口作LED片选，同时由于74LS164本身未提供输出允许端，单片机送来的串行数据从高位LED移向低位LED的过程中，会出现LED本应熄灭的笔划发光而形成闪烁现象，且LED数越多闪烁现象越严重。本文介绍一种利用SPI器件优化单片机显示系统的方法，该方法克服了一般显示方法的以上两个缺点，具有一定的实用性。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：asdstation
摘 要:提出了一种新的并联电梯控制系统.它克服了传统并联电梯调度算法中只考虑召唤的方向以及实时性差的缺陷,并利用微处理器强大的算术逻辑运算和通信功能,采用实时智能优化调度算法,实现快速服务,达到最佳运行效率.关键词:并联电梯;控制系统;调度;单片机
上传时间： 2013-11-04
上传用户：我叫李小进
代码优化的文档 同样的事情，方法不一样效果。比如，汽车引擎，可以让你的速度超越马车，却无法 以让你的速度超越马车，涡轮引擎，可以轻松 超越音速；
上传时间： 2013-11-09
上传用户：zhangjinzj
用C51写的普通拼音输入法源程序代码:原作使用了一个二维数组用以查表，我认为这样比较的浪费空间，而且每个字表的索引地址要手工输入，效率不高。所以我用结构体将其改写了一下。就是大家现在看到的这个。 因为代码比较的大，共有6,000多汉字，这样就得要12,000 byte来存放GB内码，所以也是没办法的.编译结果约为3000h,因为大部分是索引表，代码优化几乎无效。 在Keil C里仿真芯片选用的是华邦的W77E58，它有32k ROM, 256B on-chip RAM, 1K on-chip SRAM (用DPTR1指针寻址,相当于有1K的片上xdata)。条件有限，没有上片试验，仿真而已。 打算将其移植到AVR上，但CodeAVRC与IAR EC++在结构体、指针的定义使用上似乎与C51不太一样，现在还未搞定。还希望在这方面有经验的网友能给予指导。 #include<stdio.h> char * py_ime(char *); void main(void){ while(1) { char input_string[]="yI"; xdata char chinese_string[255]; sprintf(chinese_string,"%s",py_ime(input_string)); }}
上传时间： 2013-10-30
上传用户：cainaifa
