结型场效应晶体管 原理与应用.pdf结型场效应晶体管 原理与应用.pdf
标签： 晶体管
上传时间： 2022-01-10
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EL357N(C)光耦 资料The EL357N-G series contains an infrared emitting diode, optically coupled to a phototransistor detector. The devices in a 4-pin small outline SMD package
标签： 光耦
上传时间： 2022-01-13
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知识产权保护水平对高科技企业资本结构影响研究-基于信息不对称的中介效应分析-李莉这是一份非常不错的资料，欢迎下载，希望对您有帮助！
标签： 知识产权保护
上传时间： 2022-01-17
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stm32f103zet6单片机双串口互发程序stm32f103zet6单片机双串口互发程序
标签： stm32f103zet6 单片机 串口
上传时间： 2022-01-25
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单片机设计自动化的系统protel原理图+PCB文件，包含电机、电磁阀、光耦模块，继电器，传感器控制电路，2层板设计，双面布局布线，大小为215x112mm，包括完整的原理图和PCB文件，可用Protel或 Altium Designer(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。
上传时间： 2022-01-27
上传用户：jason_vip1
光耦传感器元件Altium Designer AD原理图库元件库文件CSV text has been written to file : 11.1 - 传感元件.csvLibrary Component Count : 34Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------6N137 10M高速集成光耦817 线性光耦AH3144 单极霍尔开关EL357N 线性光耦GP1A5xHR 槽间光电开关I-LED 红外二极管IDR 光敏电阻MIC1 电容麦克风MIC2 电容麦克风MPU6050 数字运动传感器MS5611 气压传感器OPT 红外接收管RG5528 光敏电阻RH6030 单通道电容式触摸ICROC16A 摇杆电位器ROC16B 摇杆电位器Reed Switch 常开型干簧管S58 槽间光耦ST188 反射型光耦SW-58010PL 震动传感器TCRT5000 反射型光耦TLP181 光耦TLP181_1 光耦TLP280-4 4组光耦TLP521-1 1路开关光耦TLP521-2 2路开关光耦TLP521-2A 2路开关光耦TLP521-4 4路开关光耦TLP521-4A 4路开关光耦TMR1302S 全极霍尔开关TMR1302T 全极霍尔开关UGN3503 线性霍尔传感器VS1838B 红外接收头ZME1930006 干式电流互感器
标签： 传感器 altium designer
上传时间： 2022-03-12
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保险丝-晶振-光耦Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 2.0 - 保险丝-晶振-光耦.csvLibrary Component Count : 17Name Description----------------------------------------------------------------------------------------------------4N256N137 Opto IsolatorFU 贴片保险丝FU 5x20 5*20保险丝FU DIP 直插保险丝PPTC PPTC自恢复保险丝Q817 ST188 反射式光电传感器TLP281 光耦TLP521-1TLP521-2 XATLS 贴片有源晶振XTAL-2P 2脚无源脚晶振XTAL-4P 4脚无源晶振XTAL-ACT-4P 4脚有源晶振XTAL-MC-4P MC系列4脚晶振光电传感器
标签： 保险丝 altium designer
上传时间： 2022-03-13
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新颖简洁的直耦式电子管推挽功放
上传时间： 2022-03-17
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MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。由于米勒电容阻止了Vgs的上升，从而也就阻止了Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。（Vgs上升，则导通电阻下降，从而Vds下降）
标签： MOS管
上传时间： 2022-03-20
上传用户：得之我幸78
◆无线充电是电子产品“无尾化”进程的一部分。摇脱线缆的来缚是消夤电子产业发展的必然趋势，也是无线互联网时代的自然害求。包抬3G4G等在内的无线通信技术主要麟决了数据文互的无线化，而能量传输的无线化作为“无尾化”发展趋势的重要组织部分，必须通过无线充电技术来完或。在盘据传输无线化进入高湖的今天能量传的无线化将得到更多的重视。而“无尾化”趋势的最终发展方向则是无线数据传输和无线能量传的融合◆无践充电技术在消费电子领域大有可为，消费电子市场下游体量巨大，智能手机平板电脑，PC以及近期越演越烈的可穿鵡風湖为无线充电产品提供了足够的发展空间。在智能予机和乎板电脑增长呈现疲态的后智能化时代，无线充电技术是各大厂商无法避开的产品创新。而从消費者角度讲。无线充电技术在无线互联网和智能终端大爆发的背景下能够带来用户体验的大幅提高。◆。无线充电产业启动的外部环境在2014年得到很大改善，根搭 isuppli的预计到2015年全球无线充电行业产值将达到240亿美元，但是其在2013年的渗遗逵度却远低于业界预期，主要是成本过高。标准不统一和充电效率不理想这三大固素制了产业启动。而在2014年，随着技术的进步以及多模方案的成热，这些限制概颈将逐一被突破，无线充电产业发展的外部环境将得到很大改善，这就使得产业启动成为可能巨头纷纷加入，无线充电产业有望在2014年迎来扬点。不管是在技术实力上，还是场号召力上，行业巨头的态度直接决定了无线充电产业何时启动以及以何种方式唇动，而在2014年的CEs上，包括me，高通、悔通等在内的行业巨头，一改此前出声不出力的做法，开始实质性的加大了对无线充电技术的投入力度，各种相关产品和方袋纷纷亮相。行业巨头们的强势加入将形成巨大的带动效应，推动无线充电产业在2014年实現实质性启动
标签： 无线充电
上传时间： 2022-03-30
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