锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究
采用溅射技术, 对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化, 获得了电阻温度系数TCR≤±10×10- 6ö℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础, 同时也可用于制作锰铜薄膜精密电阻器
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资料->【B】电子技术->【B6】品质管理->【0】工艺质量(可靠性、电磁兼容、抗干扰、WDT、品管)->压电薄膜的制备、结构与应用 167页 3.2M.pdf
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