二次击穿
共 8 篇文章
二次击穿 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 8 篇文章，持续更新中。
XTR105_BURR-BROWN_273961
XTR105、XTR112、XTR114是美国Burr－Brown公司在传感器领域推出的用于RTD的两线制专用集成变送电路，这个电路的突出优点是可以对Pt电阻中的二次项进行线性化补偿。文章介绍了它们的工作原理及其在一体化温度变送器中的应用。 关键词：XTR；RTD；线性化；温度变送器
雪崩击穿与齐纳击穿
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
p-n结的隧道击穿模型研究
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br />
研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br />
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CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
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为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
解析逻辑函数式的处理
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对数字电路设计中的重要环节--逻辑函数式的处理进行了解析。分逻辑函数式的化简、检查、变换3个方面作了详细探讨，且对每个方面给出了相应的见解，即对逻辑函数式的化简方面提出宜采用先卡诺图法再代数法的综合法；对逻辑函数式的检查方面指出了观察互补出现的因子并检验在特殊条件下是否存在该因子的“互补相与”和“互补相或”的核心要点；对逻辑函数式的变换
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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BUCK变换中的尖峰问题
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路<BR>上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电<BR>压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，<BR>从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免<BR>此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研<BR>究，找出有效的解决办法。
过采样精确重构余弦调制滤波器组的设计
本文首先推导出过采样滤波器组精确重构的条件，由于此时所需的约束条件数比临界采样时少，因而可以设计出频域衰减特性更好的滤渡器组 然后提出了精碲重梅约束条件下原壅低通滤波器的一种新的设计方法．采用矢量的二次型约束优化算法。谈算法优化方便，收敛速度快．与其它方法相比，滤渡器的阻带衰减大。<br />
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