在控制单元的开关调整元件（T1）接通期间
在控制单元的开关调整元件（T1）接通期间，能量流进贮能单元（C12）进行储能，当开关调整元件关断时，存储在电容里的能量通过滤波直接给负载供电，取样电路对输出电压进行取样，反馈到运放比较的输入端，运放电路将取样电压与PWM输出电压进行比较，比较之后输出一定脉宽给控制单元，控制开关调整元件的导通时间，从...
临界导通技术资料
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临界导通技术，作为电力电子变换器设计中的关键策略之一，通过精确控制开关器件在零电压或零电流条件下切换，有效降低开关损耗，提高系统效率。广泛应用于高频逆变器、谐振变换器等领域，是实现高效能电源转换不可或缺的技术。本页面汇集了2688份精选资源，涵盖理论研究与实践案例，助力工程师深入理解并掌握这一前沿技术，优化产品性能。
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查看全部2688个资源 »双向可控硅实用电路500例
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似 双向可控硅 于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而...
同步整流技术
高速超大规模集成电路的尺寸的不断减小，功耗的不断降低，要求 供电电压也越来越低，而输出电流则越来越大。 z 电源本身的高输出电流、低成本、高频化（ 500kHz～1MHz）高 功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。 z 在低电压、大电流输出DC-DC变换器的整流管，其功耗占变换器 全部功耗的50～6...
svpwm
SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变...
IR2110芯片单通道场效应管输出用法之一
场效应管的驱动输出是一个比较常见的问题。虽然场效应管导通电阻比晶体管要低很多很多，但要让它完全导通与关闭并不简单。比较简单的驱动办法是用专门的集成电路。美国IR2110芯片系常用的双通道驱动场效应管的集成芯片。设计为高、低双通道驱动输出。本电路不同点在于舍去了低通道驱动输...
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