中子辐照
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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应
基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和
计算太阳辐射的程序:(1)计算太阳在水平面上的瞬时辐照度和平均辐照度;(2)计算太阳在倾斜面上的瞬时辐照度和平均辐照度;(3)计算太阳的赤纬角、高度角、时角等。
计算太阳辐射的程序:(1)计算太阳在水平面上的瞬时辐照度和平均辐照度;(2)计算太阳在倾斜面上的瞬时辐照度和平均辐照度;(3)计算太阳的赤纬角、高度角、时角等。
硅VDMOS辐照特性研究及应用.rar
作为功率开关,VDMOS器件以其高开关速度、高耐压、低导通电阻、宽安全工作区以及很好的热稳定性等特点,广泛地应用于开关电源、汽车电子、马达驱动、节能灯等功率集成电路和功率集成系统中,因此VDMOS在电力电子的应用中占有举足轻重的作用,对VD...
UWB-EMP、HEMP和HPM辐照单片机系统
介绍了电磁辐射辐照电子电路的灵敏度的定义.在三种电磁辐射源辐照下,对同一单片机系统的辐照试验,其结果表明超宽带电磁脉冲辐照单片机系统的灵敏度最高,X波段的HPM源辐照单片机系统的灵敏度次之,HEMP辐照单片机系统的灵敏度最低.
光纤陀螺受辐照影响机理分析
采用60 Co 作为辐射源模拟空间辐射环境, 对光纤陀螺及其光电器件进行了大量的试验, 并对光纤陀螺及其光电器件受空间辐射影响的机理进行了研究, 得出光纤陀螺光电器件中保偏光纤环受辐射影响最严 重, 从而重点分析了光纤陀螺敏感器件保偏光纤环...
核电磁脉冲对单片机系统的辐照效应
核爆炸产生的电磁脉冲的"杀伤"范围极广,它可使距离爆心投影点几千公里的电气设备、电子装备和系统的工作失灵甚至破坏.为了研究它对单片机的各种效应,利用GTEM室产生的模拟核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验.实验表明,单片机系统在核电磁...
单片机系统在核电磁脉冲辐照下的效
核电磁脉冲(NEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)和高功率微波(HPM)等强电磁脉冲对单片机系统具有很强的干扰和破坏作用。为研究它们对单片机系统的各种效应,利用GTEM室产生的核电磁脉冲,对单片机系统进行了辐照效应实验。实验表明,单片机系统在...
强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应
为研究强电磁脉冲对单片机系统的辐照效应,在GTEM室内进行了辐照效应实验.实验表明,单片机系统在强电磁脉冲作用下,会出现"死机”、重启动、通讯出错和数据采集误差增大等现象.在实验基础上,对单片机系统的各种效应进行了深入研究.