本文对基于FPGA的对象存储控制器原型的硬件设计进行了研究。主要内容如下： ⑴研究了对象存储控制器的硬件设计，使其高效完成对象级接口的智能化管理和复杂存储协议的解析，对对象存储系统整体性能提升有重要意义。基于SoPC(片上可编程系统)技术，在FPGA(现场可编程门阵列)上实现的对象存储控制器，具有功能配置灵活，调试方便，成本较低等优点。 ⑵采用Cyclone II器件实现的对象存储控制器的网络接口，包含处理器模块、内存模块、Flash模块等核心组成部分，提供千兆以太网的网络接口和PCI(周边元件扩展接口)总线的主机接口，还具备电源模块、时钟模块等以保证系统正常运行。在设计实现PCB(印制电路板)时，从叠层设计、布局、布线、阻抗匹配等多方面解决高达100MHz的全局时钟带来的信号完整性问题，并基于IBIS模型进行了信号完整性分析及仿真。针对各功能模块提出了相应的调试策略，并完成了部分模块的调试工作。 ⑶提出了基于Virtex-4的对象存储控制器系统设计方案，Virtex-4内嵌PowerPC高性能处理器，可更好地完成对象存储设备相关的控制和管理工作。实现了丰富的接口设计，包括千兆以太网、光纤通道、SATA(串行高级技术附件)等网络存储接口以及较PCI性能更优异的PCI-X(并连的PCI总线)主机接口；提供多种FPGA配置方式。使用Cadence公司的Capture CIS工具完成了该系统硬件的原理图绘制，通过了设计规则检查，生成了网表用作下一步设计工作的交付文件。
上传时间： 2013-04-24
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本人撰写的2010届毕业设计论文，主要涉及以太网五口千兆交换机的设计与制作
标签： 毕业论文
上传时间： 2013-06-25
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随着国际互联网络的迅猛发展，网络应用的不断丰富，Intenret已经从最初以学术交流为目的而演变为商业行为，网络安全性需求日益增加，高速网络安全保密成为关注的焦点，在安全得到保障的情况下，为了满足网速无限制的追求，高速网络硬件加密设备也必将成为需求热点。另一方面，IPSec协议被广泛的应用于防火墙和安全网关中，但对IPSec协议的处理会大大增加网关的负载，成为千兆网实现的瓶颈。本文便是针对上述现状，研究基于高性能FPGA实现千兆IPSec协议的设计技术。 目前，国外IPSec协议实现已经芯片化，达到几千兆的速率，但是国内产品多以软件实现，速度难以提高。本文采用的基于FPGA的IPSec技术方案，采用硬件实现隧道模式下的IPSec协议，为IP分组及其上层协议数据提供机密性、数据完整性验证以及数据源验证等安全服务。在以VPN为实施方案的基础上，构建了以KDIPSec为设备原型以IPSec协议为出发点的千兆网络系统环境模型，从硬件体系结构到各个模块的划分以及各个模块实现的功能这几个方面描述了KDIPSec实现技术，最后描述了一些关键模块的FPGA设计和和仿真。所有处理模块均在Xilinx公司的FPGA芯片中实现，处理速率超过1Gb/s。
上传时间： 2013-07-03
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近年来提出的光突发交换OBS(Optical．Burst Switching)技术，结合了光路交换(OCS)与光分组交换(OPS)的优点，有效支持高突发、高速率的多种业务，成为目前研究的热点和前沿。 本论文围绕国家“863”计划资助课题“光突发交换关键技术和试验系统”，主要涉及两个方面：LOBS边缘节点核心板和光板FPGA的实现方案，重点关注于边缘节点核心板突发包组装算法。 本文第一章首先介绍LOBS网络的背景、架构，分析了LOBS网络的关键技术，然后介绍了本论文后续章节研究的主要内容。 第二章介绍了LOBS边缘节点的总体结构，主要由核心板和光板组成。核心板包括千兆以太网物理层接入芯片，突发包组装FPGA，突发包调度FPGA，SDRAM以及背板驱动芯片($2064)等硬件模块。光板包括$2064，发射FPGA，接收FPGA，光发射机，光接收机，CDR等硬件模块。论文对这些软硬件资源进行了详细介绍，重点关注于各FPGA与其余硬件资源的接口。 第三章阐明了LOBS边缘节点FPGA的具体实现方法，分为核心板突发包组装FPGA和光板FPGA两部分。核心板FPGA对数据和描述信息分别存储，仅对描述信息进行处理，提高了组装效率。在维护突发包信息时，实时查询和更新FEC配置表，保证了对FEE状态表维护的灵活性。在读写SDRAM时都采用整页突发读写模式，对MAC帧整帧一次性写入，读取时采用超前预读模式，对SDRAM内存的使用采取即时申请方式，十分灵活高效。光板FPGA分为发射和接收两个方向，主要是将进入FPGA的数据进行同步后按照指定的格式发送。 第四章总结了论文的主要内容，并对LOBS技术进行展望。本论文组帧算法采用动态组装参数表的方法，可以充分支持各种扩展，包括自适应动态组装算法。
上传时间： 2013-05-26
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在MDK环境下将3.90版本的UCGUI移植到STM32下了，为了方便大家，特写此移植方法，大家可以借鉴（有错误之处，望大家指点出来共同讨论！） 移植步骤： 第一步：首先，得把你的TFT底层驱动写好，既在裸机下，可以正常显示。 第二步：加入UCGUI程序包。 第三步：配置LCDConf.h GUIConf.h GUITouchConf.h(由于我的液晶不带触摸功能，此配置在此不讲。) 配置LCDConf.h文件如下：
上传时间： 2013-06-08
上传用户：cmc_68289287
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-24
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高压配电网的保护措施有：一、电网相间短路的电流保护。正常运行时输电线路上流过负荷电流，母线电压约为额定电压。当输电线路发生短路时，故障相电流增大。根据这一特征，可以构成反应故障时电流增大而动作的电流保护。对于输电线路相间短路通常采用三段式电流保护即无时限电流速断保护（电流I段），限时电流速断保护（电流II段），和定时限过电流保护（电流III段）。其中电流I段、II段共同构成线跌的主保护。III段为后备保护。1、无时限电流速断保护。在保证选择性和可靠性的前提下，根据对继电保护快速性的要求，原则上应装设快速动作的保护装置，使切除故障的时间尽可能短。反应电流增加，且不带时限动作的电流保护称为无时限电流速断保护。在单侧电源辐射形电网为切除线路故障，需在每条线跌电源侧装设断路器和相应的保护。假设线路L1、L2分别装有电流速断保护1和保护2，当线路L1上发生短路时，希望保护1能瞬时动作。但从选择要求出发，在下一条线路即L2首端K2点短路时，保护1能瞬时动作。但从选择性要求出发，在下一条线路L2首端K2点短路时，保护1不应动作，而应由保护2动作切除故障，为使保护1在K2点短路时不起动，必须使它的动作电流大于K2点短路时的最大短路电流，又称作按躲过一下条线路出口处短路的条件整定。
上传时间： 2013-11-16
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在过去10年中，满足高带宽应用需要的布线技术发生了巨大的变化，布线系统所支持的带宽已从最初10MHz发展到今天的250MHz。2002年6月，TIA/EIA组织最终核准了六类布线标准，将所有厂商的布线产品实现标准化，而网络设备制造商也将保证它们的设备在六类布线上高速运行。应该说，六类系统的推出为人类从真正意义上跨入千兆网络的时代奠定了坚实的基础，但同时也带来了种种疑惑
上传时间： 2013-11-02
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MCS-51系列单片机是美国Intel公司在1980年推出的高性能8位单片机，它包含51和52 两个子系列。 对于51子系列，主要有8031、8051、8751 三种机型，它们的指令系统与芯片引脚完全兼容，仅片内程序存储器有所不同，8031芯片不带ROM，8051芯片带4KROM，8751芯片带4KEPROM。51子系列的主要特点为： ◆8位CPU。 ◆片内带振荡器，频率范围1．2~12MHZ。 ◆片内带128字节的数据存储器。 ◆片内带4K的程序存储器。 ◆程序存储器的寻址空间为64K字节。 ◆片外数据存储器的寻址空间为64K字节。 ◆128个用户位寻址空间。
上传时间： 2013-11-05
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1. 型号紧跟的字母，表示电压工作范围。带“V”：1.8-5.5V;若缺省，不带“V”：2.7-5.5V。 例：ATmega48-20AU，不带“V”表示工作电压为2.7-5.5V。 2. 后缀的数字部分，表示支持的最高系统时钟。 例：ATmega48-20AU，“20”表示可支持最高为20MHZ的系统时钟。 3. 后缀第一(第二)个字母，表示封装。“P”：DIP封装，“A”：TQFP封装，“M”：MLF封装。 例：ATmega48-20AU，“A”表示TQFP封装。 4. 后缀最后一个字母，表示应用级别。“C”：商业级，“I”：工业级(有铅)、“U”工业级(无铅)。 例：ATmega48-20AU，“U”表示无铅工业级。ATmega48-20AI，“I”表示有铅工业级。
上传时间： 2013-11-11
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