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技术资料 PW2601_2.0.pdf规格书下载
The PW2601 is a charger front-end integrated circuit designed to provide protection to Li-ionbatteries from failures of charging circuitry. The device monitors the input voltage, battery voltageand the charging current to make sure all three parameters are operated in normal range. Thedevice will sw ...
技术资料 ST7789V IC规格书
Single chip TFT-LCD Controller/Driver with On-chip Frame Memory (FM) Display Resolution: 240*RGB (H) *320(V) Frame Memory Size: 240 x 320 x 18-bit = 1,382,400 bits LCD Driver Output Circuits- Source Outputs: 240 RGB Channels- Gate Outputs: 320 Channels- Common Electrode Output Display Colors (Color ...
技术资料 多功能电子药箱的设计与实现
基于药物治疗在临床治疗中的重要性,分析目前服药提醒装置存在的不足,以STM32F103VET6单片机为控制核心,设计了一种多功能电子药箱。该系统包括显示模块、语音模块和数据存储模块。显示模块通过触摸屏电路和LED指示灯电路,与语音模块相配合,实现了服药提醒及指导的功能;数据存储模块通过EEPROM存储电路,能够实现掉电时服药信 ...
技术资料 基于MSP430单片机及FPGA的简易数字示波器
数字示波器功能强大,使用方便,但是价格相对昂贵。本文以Ti的MSP430F5529为主控器,以Altera公司的EP2C5T144C8 FPGA器件为逻辑控制部件设计数字示波器。模拟信号经程控放大、整形电路后形成方波信号送至FPGA测频,根据频率值选择采用片上及片外高速AD分段采样。FPGA控制片外AD采样并将数据输入到FIFO模块中缓存,由单片机进行频 ...
技术资料 中文UCC2895相移全桥控制设计
IC-Ucc28950改进的相移全桥控制设计UcC28950是T公司进一步改进的相移全桥控制C，它比原有标准型UCC2895主要改进为Zvs能力范围加宽，对二次侧同步整流直接控制，提高了轻载空载转换效率，而且此时可以ON/OFF控制同步整流成为绿色产品。既可以作电流型控制，也可以作电压型控制。增加了闭环软启动及使能功能。低启动电流，逐 ...
技术资料 MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产 ...
技术资料 (网盘)开关电源资料合集
电源设计资料现代逆变技术及其应用.pdf - 6.63MB现代高频感应加热电源工程设计与应用.pdf - 23.81MB现代电源设计大全.pdf - 7.16MB仙童开关电源设计软件Off-lineSMPSDesignTools1.6.zip - 5.32MB特种集成电源最新应用技术.pdf - 7.60MB实用电池充电器与保护器电路集锦.pdf - 6.56MB刘坚强电源维修视频.zip - 2.19GB开源力量 ...
技术资料 高通蓝牙芯片qcc5127详细规格书datasheet.pdf
高通蓝牙芯片qcc5127详细规格书datasheet.pdf英文版，共97页  详细说明:1   Package information(pin allocations, pios terminal functions)2   Bluetooth subsystem 3   Cystal oscillator4   System powerstates (Idel,Active,Sleep, Off)5   Host Interface subsystem6   Appl ...
技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...
技术资料 电子元器件系列知识—IGBT
一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1，Q2 为驱动功率推挽放大，通过光耦隔离后的信号需通过Q1，Q2 推挽放大。选择Q1，Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时，需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大，因此IGBT 关断时 ...