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技术资料 STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料: 器件手册： AM
STM32F407单片机开发板PDF原理图+AD集成封装库+主要器件技术手册资料:AD集成封装库列表：Library Component Count : 54Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------24C256  &nbsp ...
技术资料 黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA开发板ALTIUM设计硬件工程（原理图+PCB
黑金CYCLONE4 EP4CE6F17C8 FPGA开发板ALTIUM设计硬件工程（原理图+PCB+AD集成封装库）,Altium Designer 设计的工程文件，包括完整的原理图及PCB文件，可以用Altium(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。集成封装器件型号列表：Library Component Count : 50Name              & ...
技术资料 TMS320F28035 DSP设计的数字大功率数字化全桥变换器ALTIUM设计硬件原理图+PCB
基于DSP设计的数字化大功率电源数字化全桥变换器电源ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件，包括主板和控制板2个硬件，均为4层板设计，ALTIUM设计的硬件工程文件，包括完整的原理图和PCB文件，可以做为你的设计参考。主板原理图器件如下：Library Component Count : 55Name              &nbsp ...
技术资料 常用三极管Altium Designer AD原理图库元件库
常用三极管Altium Designer AD原理图库元件库CSV text has been written to file : 6.2   - 三极管.csvLibrary Component Count : 23Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------- ...
技术资料 LDO环路分析及补偿
低压差线性稳压器（Low Dropout Voltage Regulator，LDO）属于线性稳压器的一种，但由于其压差较低，相对于一般线性稳压器而言具有较高的转换效率。但在电路稳定性上有所下降，而且LDO有着较高的输出电阻，使得输出极点的位置会随着负载情况有很大关系。因此需要对LDO进行频率补偿来满足其环路稳定性要求。内容安排上第一节 ...
技术资料 IGBT图解
le flows through MOS channel while Ih flows across PNP transistor Ih= a/(1-a) le, IE-le+lh=1/(1-a)' le Since IGBT has a long base PNP, a is mainly determined by ar si0 2ar= 1/cosh(1/La), La: ambipolar diff length a-0.5 (typical value)p MOSFET channel current (saturation), le=U"Cox"W(2"Lch)"(Vc-V ...
技术资料 MOSFET和IGBT区别
MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几 ...
技术资料 变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断
本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或 ...