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手册 HVIC-DS-001G FD2501 Datasheet_V1.2(中文版发布20150818)
FD2501 是一个高电压、高速栅极驱动器，能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。内置欠压保护功能，防止功率管在过的电压下工作。
电路图 三相你变器电路图
该参考设计使用隔离的IGBT栅极驱动器和隔离的电流/电压传感器实现了增强的隔离式三相逆变器子系统。所使用的UCC23513栅极驱动器具有6引脚宽体封装，带有光学LED模拟输入，因此可以用作现有光电隔离栅极驱动器的引脚到引脚替换。该设计表明，可以使用用于驱动光隔离栅极驱动器的所有现有配置来驱动UCC23513输入级。使用AMC13 ...
技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
技术资料 功率半导体器件———原理 特性和可靠性
本书介绍了功率半导体器件的原理、 结构、 特性和可靠性技术， 器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件， 包括二极管、 晶闸管、 MOSFET、 IGBT和功率集成器件等。 此外， 还包含了制造工艺、 测试技术和损坏机理分析。 就其内容的全面性和结构的完整性来说， 在同类专业书籍中是不多见的。本书内容 ...
技术资料 SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...
技术资料 开关电源设计资料.pdf
，从耐压、电流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定场合，仍然要使用大电流、高耐压的可控硅。但一般的工业自动化场合，功率电子器件已越来越多地使用MOSFET和IGBT，特别是IGBT获得了更多的使用，开始全面取代可控硅来做为新型的功率控制器件 ...
技术资料 国产MOS预驱动芯片EG3013 手册
高端悬浮自举电源设计，耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效，控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效，控制低端LO 输出外围器件少静态电流小：4.5mA 封装形式 ...
技术资料 电阻类3D封装表贴插装电阻可调电阻功率电阻封装库AD库PCB库共100个（ALTIUM 3D封装库）
电阻类3D封装表贴插装电阻可调电阻功率电阻封装库AD库PCB库共100个（ALTIUM 3D封装库），列表如下：Component Count : 100Component Name-----------------------------------------------FLQ-0R03FLQ-40A-75mVFLQ-50-3FLQ-50AFLQ-60A-75mVFLQ-OAR5R005FLFFUSE-1210FUSE-1808FUSE-2920IGBT-BSM200GB60DLCIGBT-FF200R12KT4R0 ...
技术资料 功率半导体器件与应用
功率半导体器件与应用，是一本很好的书籍。从事功率器件，IGBT/MOSFET驱动技术开发工作，会有很大帮助。
技术资料 基于TL494开关电源设计.doc
基于TL494开关电源设计.doc基于TL494的DC-DC开关电源设计 摘 要 随着电子技术的高速发展,电子系统的应用领域越来越广泛,电子设备的种类也越来越多,电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切。近年来 ,随着功率电子器件(如IGBT、MOSFET)、PWM技术及开关电源理论的发展 ,新一代的电源开始逐步取代传统的电源电路。 ...