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精品软件 TI MSP430FR5969 实验项目
最完整的TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969 实验项目。
技术资料 TI MSP430FR5969 培训视频大全
TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969的全部12集视频教程。
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技术资料 TI MSP430FR5969 技术资料合集
10份最有价值的PDF版本TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969 技术文档。
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10份最有价值的PDF版本TI MSP430 超低功耗 FRAM MCU MSP430FR5969 技术文档。
单片机开发 fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有B
fm1808中文资料
描述
FM1808是用先进的铁电技术制造的
256K位的非易失性的记忆体 铁电随机
存储器 FRAM 是一种具有非易失
性 并且可以象RAM一样快速读写 但
它没有BBSRAM模组系统的设计复杂
性 缺点和相关的可靠性问题 数据在
掉电可以保存10年 高速写以及高擦写
次数使得它比EEPROM或其他非易失性
存储器可靠性更高 系统更 ...
技术资料 铁电存储芯片MB85RC程序
铁电存储芯片 MB85RC 系列FRAM 芯片存储控制单片机 C 程序,IIC 通信 SPI
技术资料 MSP430FR211x 混合信号微控制器
MSP430FR211x 器件是MSP430™微控制器(MCU) 超值系列对MSP430FRx 基于FRAM 的MCU 系列的
扩展,与采用3×3mm2 封装的同类8 位MCU 相比,RAM 容量最高扩充为50 倍。此超低功耗MCU 系列包含多款具有嵌入式统一存储器的器件,无需装配编程,不但简化了用C 语言升级8 位设计的过程,而且能充分利用FRAM 和集成外设针对不同应用 ...
单片机开发 VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。
VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器 内核可以提供高达 4O MIPS的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容。 ...