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ZF-SIC 的查询结果
matlab例程 script_ber_mimo_zf_bpsk_rayleigh_channel montre la performance de egaliseur zf avec mimo
script_ber_mimo_zf_bpsk_rayleigh_channel montre la performance de egaliseur zf avec mimo
文件格式 BER with ZF equalizer with 2×2 MIMO
BER with ZF equalizer with 2×2 MIMO
PCB图/BOM单/原理图 SiC双脉冲测试板资料
Cree公司生产的SiC MOSFET器件,型号C2M00802012D,在应用器件前需要进行双脉冲实验,实验中用到的主电路原理图(包括PCB文件),驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式,可以直接交厂制作,不需修改。
技术资料 SiC MOSFET为什么会使用4引脚封装
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构,进一步降低了导通电阻;同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装,改善了开关特性,使开关损耗可以降低35%左右。此次,针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题,我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...
技术资料 SiC功率半导体器件发展历程 优势和发展前景讲解
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技术资料 SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
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技术资料 基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器
基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo
技术资料 半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN SiC)材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需 ...
技术资料 SiC 功率器件・模块 应用笔记
本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块,面向各种应用,SiC器件的优势和使用上的注意点,从初次接触SiC器件到熟知产品的各位,都可以得到应用和帮助