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技术资料 射频天线 PEX天线插座 Altium封装 AD封装库 2D+3D PCB封装库
射频天线 PEX天线插座 Altium封装 AD封装库 2D+3D PCB封装库Altium Designer设计的PCB封装库文件，集成2D和3D封装，可直接应用的到你的产品设计中。PCB库封装列表：-----------------------------------------------2.4GANTF02.4GANTF12.4GANTF22.4GANTF32.4GANTF42.4GANTS02.4GANTS82.4GANTS9SMA_FRSMA-KESMA-KE-LIWIFI-AN ...
技术资料 单端转差分网口板H1102 DS26C31 DS26C32 PROTEL 原理图+PCB+封装库
网口单端转差分板H1102 DS26C31 DS26C32 PROTEL 99SE 原理图+PCB+封装库文件，Protel 99se 设计，包括原理图及PCB印制板图，可以用Protel或 Altium Designer(AD)软件打开或修改，都已经制板在实际项目中使用，可作为你产品设计的参考。
技术资料 STM32F103C8开发板 STM32最小系统核心板 AD硬件原理图 PCB封装文件
STM32F103C8开发板 STM32最小系统核心板 AD硬件原理图 PCB封装文件，Altium Designer 设计的项目工程文件，包括原理图及PCB印制板图，可以用Altium Designer(AD)软件打开或修改，可作为你产品设计的参考。
模拟电子 PWM型功率放大器长线传输波形整型
为解决PWM功率放大器输出长线传输引发的波形畸变，可能伤及力矩电动机的问题，对实际系统结构进行了理论分析，找出了可能引发波形畸变的原因，并给出了3种解决方法。实际试验结果证实所给方法的有效性。
模拟电子 基于89C51单片机控制放大器增益的设计
摘要：用单片机控制放大器增益， 实现放大器增益扩程功能， 以满足不同幅度信号对放大器增益的要求分析了单片机控制放大器增益的原理、设计思路，给出了计算公式和设计电路．
模拟电子 凌力尔特工业信号链路
Industrial systems demand semiconductors that are precise, flexibleand reliable. Linear Technology offers a broad line of high performanceanalog ICs that simplify system design with rugged devices featuringparameters fully guaranteed over the -40°C to 85°C temperature range.We back this up ...
模拟电子 MEMS麦克风有助于提高系统设计效率
A MEMS microphone IC is unique among Analog Devices, Inc., products in that its input is an acoustic pressure wave. For this reason, some specifications included in the data sheets for these parts may not be familiar, or familiar specifications may be applied in unfamiliar ways. This application not ...
模拟电子 MAX9930在有线电视中的功能应用
Abstract: The MAX9930–MAX9933 family of RF controllers and detector can be used in a wide variety of applications. Anideal application is cable television (CATV) over fiber, where either a RF controller or a RF detector controls the gain of atransimpedance amplifier (TIA). This application n ...
模拟电子 BP5611微小型数字气压计模块
BP5611 是一款采用MEMS 技术将高线性压力传感器与一个低功耗的24 位模数转换电路（ADC）集成于一体的数字气压传感器模块。该产品支持SPI 和I2C 总线传输协议，可与任何微处理器匹配工作。
模拟电子 SiCOI MESFET的特性分析
使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。