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Mosfet 的查询结果
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技术资料 IGBT在不间断电源(UPS)中的应用
在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情 ...
技术资料 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、 ...
技术资料 大功率IGBT驱动保护电路的研究与应用
IGBT是MOSFET和GTR的复合器件，它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点，又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件，特别是在大功率的场合，已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上，针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用，选择 ...
技术资料 怎样判断IGBT、MOS管的好坏
怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则 ...
技术资料 基于LTspice的反激式变换器设计与仿真
进年来，脉冲功率装置的使用愈来愈广泛。由于高功率脉冲电变换器源能够为脉冲功率装置的负载提供能量，是构成脉冲功率装置的主体。本文采用LT3751为核心，采用电容、电感储能、并通过电力电子器件配合脉冲变压器设计了反激式功率变换器电路，并通过基于LTspice进行电路瞬态分析，以得到最佳的电路模型。LTspice IV是一款高 ...
技术资料 应用于降压型开关电源的ldo设计与分析
2009年上半年统计中，计算机类、消费类、网络通信类三大领域仍然占中国电源管理芯片市场近80%的市场份额，其中网络通信类市场最大，其市场份额都超过了30%。开关稳压器和低电压功率MOSFET将在未来五年内快速增长.ISuppli公司预测最强劲的增长将发生在数据处理领域，预计该领域的复合年增长率将达10%，未来五年将推动电源管 ...
技术资料 BLCD三相无刷电机驱动模块使用教程.
1.1特点·可以驱动12V~36V电机相连，电机额定电流不超过4A。·可以与有位置传感器和无位置传感器的无刷电机相连。·对于有位置传感器的无刷电机，可以根据霍尔传感器进行换相；对于无位置传感器的无刷电机，可以根据感应电动势进行换相。·可以与编码器相连进行准确位置控制。·可以进行正反转控制。·驱动电路和控制电路完 ...
技术资料 自制12v开关电源电路图
关键字：12v开关电源+12V、0.5A单片开关稳压电源的电路如图所示。其输出功率为6w.当输入交流电压在 110~260V范围内变化时，电压调整率Svs 1%。当负载电流大幅度变化时，负载调整率Si=5%~7%。为简化电路，这里采用了基本反馈方式。接通电源后，220V交流电首先经过桥式整流和C1滤波，得到约+300V的直流高压，再通过高频变压器 ...
技术资料 (LTSpice)以反相器为例学习仿真MOSFET
<h2>原理图schematic </h2><h3>元件<h3>LTSpice提供了nmos（pmos）和nmos4（pmos4）两种nmos（pmos）。其中nmos（pmos）表示衬底（B）和源极（S）相连。mos和mos4能调整的属性不同，如图：本例中要设置mos管的W-0.18u，L=0.18u，选用nmos4和pmos4.<h3>布线<h3>如图1，其中，mos管Gate靠近的那一极好像是 Source，所以PMOS要 ...
技术资料 基于STM32的电动摩托车无刷直流电机控制器
无刷直流电机广泛应用于电动摩托车上，它的控制器直接影响电动摩托车的质量和运行效率。但目前市场上控制器的控制芯片大多不具备专业无刷直流电机控制模块，在外围电路的设计中需要搭建很多的逻辑门电路来实现控制器MOSFET电桥的逻辑驱动控制，在MOSFET上下桥臂的互锁功能和死区时间的设置等都靠模拟电路去实现，可靠性及维 ...