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论文 基于频率插值的4.0kbps 语音编码器的性能和设计(英文)

The 4.0 kbit/s speech codec described in this paper is based on a Frequency Domain Interpolative (FDI) coding technique, which belongs to the class of prototype waveform Interpolation (PWI) coding techniques. The codec also has an integrated voice activity detector (VAD) and a noise reduction capabi ...
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技术资料 QC3.0车充方案IC SP3413+FP6601Q

SP3413是一款输入耐压可达42V,7~32V输入电压条件正常工作,并且能够实现恒压以及恒流的同步降压型DC-DC控制器。SP3413内置功率MOS,可支持3.1A持续输出。输出2A时系统转换效率可达95%,并可完整支持100%占空比。 联系人:唐云先生(销售工程)   手机:13530452646(微信同号) 座机:0755-3 ...
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技术资料 IP6505同步开关的降压转换器集成输出快充协议

IP6505 是一款集成同步开关的降压转换器、支持11种输出快充协议,为车载充电器、快充适配器、智能排插提供完整的解决方案。 IP6505 内置功率MOS,输入电压范围是4.5V到32V,输出电压范围是3V 到12V,最大能提供 24W 的输出功率,能够根据识别到的快充协议自动 调整输出电压和电流,典型输出 ...
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技术资料 8310 外围只需5个器件5V1.5A同步整流车充IC

8310是一款内部集成了上、下MOS管的同步整流降压型高效率开关变换器,上、下管的规格分别为36V 耐压/360 mΩ内阻,36V耐压/170mΩ内阻。该变换器可以在4.5V~36V的宽输入电压范围内输出1.5A连续电流。内部采用了逐周期的峰值电流控制模式,使得芯片能够实现快速动态响应的要求。同时8310集成了线补,内部补偿电路,可设置 ...
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技术资料 SP1223F内置MOS同步整流5V3.4A方案

   SP1596是一款ESOP8封装DC-DC升压控制器,内建10A低内阻MOSFET,保证了转换器的高效率。 联系人:唐云先生(销售工程)   手机:13530452646(微信同号) 座机:0755-33653783 (直线) Q Q: 2944353362
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技术资料 L9945

AEC-Q100 qualified • 12 V and 24 V battery systems compliance • 3.3 V and 5 V logic compatible I/O • 8-channel configurable MOSFET pre-driver – High-side (N-channel and P-channel MOS) – Low-side (N-channel MOS) – H-bridge (up to 2 H-bridge) – Peak & Hold (2 loads) • Operating battery supply ...
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软件 svpwm

SVPWM 宽度调制是一种模拟控制方式,其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置,来实现晶体管或MOS管导通时间的改变,从而实现开关稳压电源输出的改变
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技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
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技术资料 74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD STM32F207VCT6 AD集成封装库

74HC595 A4950 MAX3232 ULN2003AD  STM32F207VCT6 AD集成封装库,原理图库器件型号列表:Library Component Count : 53Name                Description----------------------------------------------------------------------------------------------------1N4148  ...
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技术资料 功率MOSFET的驱动电路设计

文章中包含了MOS管开通和关断的详细过程,MOS管各参数之间的联系,损耗计算及驱动电路设计,非常利于MOS管学习的启蒙.
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