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HBM 的查询结果
技术资料 供应DMX512AP
概述
DMX512AP是并联应用单线传输三通道LED驱动输出控制专用芯片，兼容并扩展DMX512（1990）信号协议。芯片内含电源稳压电路，时基电路，信号解码模块，数据缓存器,三通道恒流驱动器(电流值可由外挂电阻调控),以及内置振荡器。每一输出通道皆可输出8位(256级)灰阶的可调线性电流。支持输出端极性反转。单独的写码信号线可以 ...
技术资料 PW4055_2.0.pdf规格书下载
The PW4055 is a complete constant-current /constant-voltage linear charger for single cell lithiumion batteries.Its ThinSOT package and low external component count make the PW4055 ideallysuited for portable applications.Furthermore, the PW4055 is specifically designed to work within USBpower specif ...
模拟电子 线性及逻辑器件选择指南
绪论 3线性及逻辑器件新产品优先性计算领域4PCI Express®多路复用技术USB、局域网、视频多路复用技术I2C I/O扩展及LED驱动器RS-232串行接口静电放电(ESD)保护服务器/存储10GTL/GTL+至LVTTL转换PCI Express信号开关多路复用I2C及SMBus接口RS-232接口静电放电保护消费医疗16电源管理信号调节I2C总线输入/输出扩展电平转换 ...
技术资料 FPGA中ESD技术和可配置耐压结构研究.rar
静电放电(ESD)是集成电路(IC)中最重要的可靠性问题之一。工业调查表明大约有40％的IC失效与ESD/EOS(电过应力)有关。因此，研究并控制ESD是实现更好性能、更高可靠性IC的一个重要问题。随着IC器件的特征尺寸越来越小，ESD所造成的问题表现得更加突出，已成为现代集成电路芯片在制造和应用过程中需要重视并着力解决的一个重要 ...
技术教程 电子元器件抗ESD技术讲义.rar
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4
第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5
1.1 静电和静电放电的定义和特点 5
1.2 对静电认识的发展历史 6
1.3 静电的产生 6
1.3.1 摩擦产生静电 7
1.3.2 感应产生静电 8
1.3.3 静电荷 8
1.3.4 静电势 8
1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9
1.4 静电的来源 10
1.4.1 人体静电 1 ...
技术资料 电子元器件抗ESD技术讲义.rar
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4
第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5
1.1 静电和静电放电的定义和特点 5
1.2 对静电认识的发展历史 6
1.3 静电的产生 6
1.3.1 摩擦产生静电 7
1.3.2 感应产生静电 8
1.3.3 静电荷 8
1.3.4 静电势 8
1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9
1.4 静电的来源 10
1.4.1 人体静电 1 ...