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找到约 127 项符合 Gate 的查询结果

技术资料 PW2302A_2.0.pdf规格书下载

The PW2302A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection orin other Switching application
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技术资料 PW2300S3.pdf规格书下载

The PW2300S3 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection orin other Switching application
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技术资料 8205A8_2.0.pdf规格书下载

The PW8205A8TS is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and loadswitch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliabilityapproved .
https://www.eeworm.com/dl/829669.html
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技术资料 8205A6_2.1.pdf规格书

The PW8205A6S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate chargeand operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protectionor in other Switching application.
https://www.eeworm.com/dl/829670.html
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技术资料 ST7789V IC规格书

 Single chip TFT-LCD Controller/Driver with On-chip Frame Memory (FM) Display Resolution: 240*RGB (H) *320(V) Frame Memory Size: 240 x 320 x 18-bit = 1,382,400 bits LCD Driver Output Circuits- Source Outputs: 240 RGB Channels- Gate Outputs: 320 Channels- Common Electrode Output Display Colors (Color ...
https://www.eeworm.com/dl/830549.html
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技术资料 MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产 ...
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技术资料 电流检测电路中运算放大器与ADC的设计

电学中的测量技术涉及范围非常广,电流测量在电学计量中占有非常重要的位置。如何精确地进行电流测量是精密测量的一大难题。传统的电流检测电路多采用运算放大芯片与片外电流检测电路相结合的方式,电路集成度很低,需要较多的接口和资源才能完成对电路的检测。本文把所有电路部分都集成在一块芯片上,包括检测电阻,运算放大器 ...
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技术资料 基于DSP28335+IR2110芯片的移相全桥驱动电路设计

为解决移相全桥电路驱动及相角控制问题,设计了一种数字控制的移相全桥驱动电路.以TPL521为光耦隔离、IR2110为栅极驱动芯片.由DSP产生PWM信号,经过光耦隔离和逻辑电路后送至IR2110进行相角控制.文章对IR2110驱动电路原理进行分析及参数进行设计,对TMS320F28335进行设置并给出部分代码.实验结果表明:通过TMS320F28335可产生 ...
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技术资料 基于Navitas NV6252和TI UCC28780 的 30W TPYE C PD充电器方案

此设计为30W 小型化壁式Type C PD 充电器,使用TI UCC28780 搭配Navitas NV6252来实现小型化需求,UCC28780是一款高频有源箝位反激式控制器(ACF),工作频率可达1MHz,可操作在零电压开关(ZVS)且能在宽电压工作范围内实现,具有先进的自动调谐技术,自适应死区时间优化和可变开关频率控制律。使用自适应多模控制可根据输入 ...
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技术资料 三菱第五代IGBT应用手册

三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅 ...
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