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Dram 的查询结果
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可编程逻辑 Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配
Hyperlynx仿真应用:阻抗匹配.下面以一个电路设计为例，简单介绍一下PCB仿真软件在设计中的使用。下面是一个DSP硬件电路部分元件位置关系(原理图和PCB使用PROTEL99SE设计)，其中DRAM作为DSP的扩展Memory(64位宽度，低8bit还经过3245接到FLASH和其它芯片)，DRAM时钟频率133M。因为频率较高，设计过程中我们需要考虑DRAM的数据 ...
嵌入式Linux uCLinux默认的根文件系统是romfs
uCLinux默认的根文件系统是romfs，由于romfs是一个只读的文件系统，当你的嵌入式设备动态的修改了一些文件，它无法保存。JFFS而可以动态的把DRAM中的数据烧入Flash中，此文件是实现他的一个MTD文件
VHDL/FPGA/Verilog FPGA内嵌的BRAM资源很少
FPGA内嵌的BRAM资源很少，此代码为DRAM代码风格，可以极大程度上减少FPGA内嵌资源的消耗。txt文档中含源代码，直接粘成vhdl即可
单片机开发 通过环路串口判断串行通信电平转换芯片功能是否正常
通过环路串口判断串行通信电平转换芯片功能是否正常，并通过读写DRAM 判断硬件。
其他书籍 The main MIPS processor of SMP8630 comes with a JTAG interface, allowing: access to caches and da
The main MIPS processor of SMP8630 comes with a JTAG interface, allowing:
access to caches and data bus (DRAM) with a bandwidth of about 200kbit/s
examining the processor state whatever the execution mode (monice)
connecting to monice using mdi-server and using a gdb client on the processor to st ...
单片机开发 管脚号 管脚名称 LEVER 管脚功能描述 1 VSS 0V 电源地 2 VDD 5.0V 电源电压 3 VEE 5.0V~(-13V) 液晶显示器驱动电压 4 D/I H/L D/I
管脚号 管脚名称 LEVER 管脚功能描述
1 VSS 0V 电源地
2 VDD 5.0V 电源电压
3 VEE 5.0V~(-13V) 液晶显示器驱动电压
4 D/I H/L D/I=“H”,表示DB7~DB0为显示数据
D/I=“L”,表示DB7~DB0为显示指令数据
5 R/W H/L R/W=“H”,E=“H”,数据被读到DB7~DB0
R/W=“L”,E=“H→L”, DB7~DB0的数据被写到IR或DR
6 E H/L 使能 ...
源码 数据库实验五
1．在订单数据库orderDB中，完成如下的查询：
（1）用子查询查询员工“张小娟”所做的订单信息。
（2）查询没有订购商品的且在北京地区的客户编号，客户名称和邮政编码，并按邮政编码降序排序。
（3）查询订购了“32M DRAM”商品的订单编号，订货数量和订货单价。
（4）查询与员工编号“E2008005”在同一个部 ...
技术资料 基于FPGA设计的sdram读写测试实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明 DR
基于FPGA设计的sdram读写测试实验Verilog逻辑源码Quartus工程文件+文档说明，DRAM选用海力士公司的 HY57V2562 型号,容量为的 256Mbit,采用了 54 引脚的TSOP 封装, 数据宽度都为 16 位, 工作电压为 3.3V,并丏采用同步接口方式所有的信号都是时钟信号。FPGA型号Cyclone4E系列中的EP4CE6F17C8，Quartus版本17.1。timescale 1ps ...
技术资料 DDR4标准 JESD79_4
1. Scope ......................................................................................................................................................................... 12. DDR4 SDRAM Package Pinout and Addressing ............................................................................ ...
技术资料 [AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计
[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计铁电随机存储器（F-RAM），相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。 ...