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高密度电路 的查询结果
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电源技术 L6599控制的半桥LLC谐振变换器设计与实现
LLC谐振变换器非常适合应用于高效率和高功率密度的场合，成为目前新型谐振变换器的典型代表。文章首先简要介绍了半桥LLC谐振变换器的工作原理和优点，然后计算了主电路和控制电路的主要参数，并根据参数计算结果选择电力电子元器件，最后研制并完善了实验样机。样机实现了变压器漏感充当谐振电感与变压器励磁电感和谐振电容 ...
电源技术 一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
电源技术 基于ICE2PCS01的有源功率因数校正的电路设计
针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题，提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌（Infineon）公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管，并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构，输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大，再与PWM波比较，得到 ...
电源技术 一种无片外电容LDO的瞬态增强电路设计
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 ...
电源技术 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
电源技术 德州仪器技术专家分享：LDO噪声详解
随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负 ...
电源技术 无源功率因数校正电路的原理和应用
本文介绍SIEMENS公司提出的开关电源集成控制器TDA16846无源功率因数校正(PFC)电路原理及其在电视机开关电源中的应用。功率因数的改善是基于一个特殊的由电感,电容及二极管组成的充电泵电路,该电路在功率管的高压端兼起吸收缓冲作用,因此它具有输入谐波电流分量小,PF值高以及EMI小、电路简单、成本低和可靠性高等优点。这为 ...
电源技术 高PF反激临界模式开关电源的环路设计
目前开关电源市场上单端反激式的开关电源占有很大的份额，控制环路的设计是反激电源中关键的步骤之一。主要对基于L6561临界（TM）模式下高功率因数（PF）单端反激式开关电源的控制环路设计进行了论述，文中通过对环路中各级的传递函数进行了定性分析和定量计算，进而给出了环路的补偿电路。通过选择合适的相位裕量来保证系 ...
电源技术 双相位锁相放大电路设计
采用CD4046和AD630设计了一个双相位锁相放大器,并进行了实验验证,实验验证结果表明,该放大器可以测量1 mA以下的交流电流,灵敏度为20 mV/mA,精度0.05%,是一种高精度、实用型锁相放大电路。
电源技术 基于ICE1CS02的PFC+PWM电路设计
基于ICE1CSO2设计了一种PFC+PWM电路。采用前级为PFC电路，后级为双管正激拓扑电路的方式。通过仿真分析电路的基本原理，以500 W电路为例对PWM部分主变压器进行了详细的设计，并通过实际电路验证此电路具有功率因数高、稳定、高效等优点。
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