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技术资料 新型功率半导体器件—集成门极换向晶闸管
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技术资料 推挽型射极跟随器TinaPro仿真
推挽型射极跟随器TinaPro仿真
技术资料 单相全控桥式整流电路的设计
1.1 什么是整流电路整流电路（rectifying circuit）把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成，20世纪70年代以后，主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波 ...
技术资料 基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作 ...
技术资料 单板电磁兼容EMC设计
说明：原文（英语）来自Freescale Semiconductor，Inc.的应用文档，作者，T.C.Lun，Applications Engineering，Microcontroller Division，Hong Kong.文档分为下列几个部分：PART 1 观EMC PART 2器件的选择及电路的设计PART 3印刷电路板layout技术附录A EMC术语表附录B 抗干扰测量标准第一部分 EMI和EMC纵览：在现代电子设 ...
技术资料 三相逆变器中IGBT的几种驱动电路的分析.
摘要：对几种三相逆变器中常用的IGBT驱动专用集成电路进行了详细的分析，对TLP250，EXB系列和M579系列进行了深入的讨论，给出了它们的电气特性参数和内部功能方框图，还给出了它们的典型应用电路。讨论了它们的使用要点及注意事项，对每种驱动芯片进行了IGBT的驱动实验，通过有关的波形验证了它们的特点，最后得出结论：IGB ...
技术资料 IGBT在不间断电源(UPS)中的应用
在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率品体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选，只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计，才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情 ...
技术资料 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、 ...
技术资料 TSOP叠层芯片封装的研究
叠层芯片封装技术，简称3D.是指在不改变封装体外型尺J的前提下，在同一个封装体内于垂直方向叠放两个以上的芯片的封装技术，它起源于快闪存储器（NCYNA\D）及SURAM的叠层封装。由于叠层芯片封装技术具有大容量、多功能、小尺寸、低成本的特点，2005年以来3D技术研究逐渐成为主流。TSOP封装因其具有低成本、后期加工的柔韧而 ...
技术资料 基于LTspice的射极跟随器仿真实验
基于LTspice的射极跟随器仿真实验1，实验要求与目的（1）进一步掌握静态工作点的调试方法，深入理解静态工作点的作用。（2）调节电路的跟随范围，使输出信号的跟随范围最大。（3）测量电路的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。（4）测量电路的频率特性。2·实验原理在射极跟随器电路中，信号由基极和地之间输入，由发射极 ...