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基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...

在静电传感器测量气/固两相流参数的基础上，以J.B.Gajewski教授的成果为基础，对电容的计算进行了研究。将静电传感器电极与屏蔽罩间的电容cp看作圆柱型电容，对其建立的静电传感器数学模型中的感应电极与屏蔽罩间电容值进行探讨，并得到了这个电容的计算式。 ...

运用XRD、SEM、eDAQ电化学工作站和超低噪声放大器,对样品的相组成、显微形貌及电化学性能进行表征。结果表明:所制备的Ag/AgCl电极外观形貌好,表面缺陷少,AgCl和Ag粉混合均匀。

锂离子正极电池材料   1. 目前主要的技术工艺制法： 1.1.   高温固相反应法：高温固相反应法是以FeC2O4·2H2O，(NH4)H2PO4，Li2CO3等为原料，按LiFePO4的化学组成配料研磨混合均匀，在惰性气氛（如Ar，N2）的保护下高温焙烧反应制得。目前，由于高温固相反应法存在合成温度高、粒径分布大、颗粒粗大等缺点， ...

晶片wafer 平面工艺详细介绍

很全面的实验指导，无锡工艺单片机实验指导书。

摘要：设计并制作了一种基于温度梯度驱动的液滴传输芯片，以实现对微液滴传输的精确控制．介绍了驱动原理和工艺流程，分析了仿真和实验结果．该芯片利用温度梯度下液滴表面形成的表面张力梯度来传输液滴，采用玻璃作为衬底，Ｔｉ为电阻加热器，Ａｕ为电极，ＰＥＣＶＤ氧化硅为介质层，碳氟聚合物为疏水层，实现了器件制作． ...

印制电路设计中的工艺缺陷

规范产品的 PCB 工艺设计，规定PCB 工艺设计的相关参数，使得PCB 的设计满足可生产性、可测试性、安规、EMC、EMI 等的技术规范要求，在产品设计过程中构建产品的工艺、技术、质量、成本优势。

中兴--射频板PCB工艺设计规范