搜索结果
找到约 2,383 项符合
电流保护器 的查询结果
模拟电子 电压反馈型运算放大器的增益和带宽
本教程旨在考察标定运算放大器的增益和带宽的常用方法。需要指出的是，本讨论适用于电压反馈(VFB)型运算放大器——电流反馈(CFB)型运算放大器将在以后的教程(MT-034)中讨论。
模拟电子 555时基集成电路简介
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。
...
模拟电子 BUCK变换中的尖峰问题
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研究，找出有效的解决办法。 ...
模拟电子 电子学名词介绍
电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与 ...
模拟电子 高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电流分配不均衡问题做了仿真 ...
模拟电子 功率MOSFET并联应用
从线路布线和参数配置等方面分析了导致MOSFET并联时电压和电流不均衡的原因，并联MOSFET易产生振荡的原因作了详细的分析，并辅以仿真说明振荡产生的原因。
模拟电子 如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应
本文的目的在于，介绍如何计算具有狭窄气隙的圆形转子电机中的绕组感应。我们仅处理理想化的气隙磁场，不考虑槽、外部周边或倾斜电抗。但我们将考察绕组磁动势（MMF）的空间谐频。
在图1中，给出了12槽定子的轴截面示意图。实际上，所显示的是薄钢片的形状，或用于构成磁路的层片。铁芯由薄片构成，以控制涡流电流损耗。厚 ...
模拟电子 DA和AD转换电路原理
非电物理量（温度、压力、流量、速度等），须经传感器转换成模拟电信号（电压或电流），必须转换成数字量，才能在单片机中处理。
模拟电子 运算放大器中的虚断虚短应用
虚短和虚断的概念
由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。
“虚短”是指在分析运算放大 ...