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电容屏 的查询结果
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模拟电子 定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 ...
PCB相关 PCB设计要求简介
PCB设计要点
一.PCB工艺限制
1）线 
一般情况下，线与线之间和线与焊盘之间的距离大于等于13mil，实际应用中，条件允许时应考虑加大距离；布线密度较高时，可考虑但不建议采用IC脚间走两根线，线的宽度为10mil，线间距不小于10mil。特殊情况下，当器件管脚较密，宽度较窄时，可按适当减小线宽和线间距。 
2）焊盘 ...
PCB相关 DRAM内存模块的设计技术
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计......................................................................... ...
单片机编程 LPC900系列单片机ICP解决方案
最近几年新出的一些MCU，有很多都具有ISP（In System Programming：在系统编程）特性，利用这一特性可以在无需通用编程器的情况下，方便地对芯片执行各种操作（擦除，读取，编程等操作）；如果进一步配上一些软件（如Keil的ISD51），即可实现一些简单的在线调试功能（当然要损失一个串口）。一些开发者，也经常在自己的系统 ...
单片机编程 基于单片机PWM控制逆变电源的设计
基于单片机PWM控制逆变电源的设计:设计了一种基于AT89C51 控制SA4828 的逆变电源，它采用IGBT 作为功率器件， IR2110 作为IGBT 的驱动芯片，并采用恒 U/F 的控制策略。关键词：单片机 脉宽调制 逆变电源
本论文主要目的是设计一种全数字化三相PWM 逆变电源。三相SPWM 发生器是逆变电源的核心部分，它的性能好坏，直接关系到 ...
可编程逻辑 PCB设计要求简介
PCB设计要点
一.PCB工艺限制
1）线 
一般情况下，线与线之间和线与焊盘之间的距离大于等于13mil，实际应用中，条件允许时应考虑加大距离；布线密度较高时，可考虑但不建议采用IC脚间走两根线，线的宽度为10mil，线间距不小于10mil。特殊情况下，当器件管脚较密，宽度较窄时，可按适当减小线宽和线间距。 
2）焊盘 ...
可编程逻辑 DRAM内存模块的设计技术
第二部分：DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计......................................................................... ...
技术资料 保险晶振继电器开关3D封装库lukougao
这个封装库比较杂，包含除电阻电容电感以外的，我们常用的一些电子元器件。电池：CR1220和CR2032;贴片磁珠；整流桥:种类很齐全；保险管：贴片和直插均有；晶振：直插HC49、2*6、3*8等圆柱形，贴片0705等40种规格晶振；继电器：包括欧姆龙和松下一些常用的型号的继电器共36种，这个很难得的；变压器：EI35RJ11和RJ45网口；sd ...
技术资料 射频电调谐滤波器的研究与设计.
本文所研究的电压可调谐带通滤波器是射频选频网络中一个重要部件，它具有带宽小、中心频率调谐范围大，阻带抑制度高、频率调谱范围内带宽和滤波曲线变化很小、结构小型化等特点。在整个研究的过程中，概括起来主要做了以下几方面的工作：1，首先从滤波器网络设计理论入手，在耦合谱振器带通滤波器的基础上，简单介绍了从低 ...
技术资料 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、 ...