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技术资料 ISD

ISD1400系列单片机语音录放电路,片内由时钟振荡器、128K字节E2PROM(电可编程可擦除只读存贮器)、微音放大器、自动增益控制电路、抗干扰滤波器、差动功率放大器等高品质语音录放系统所需的全部基本功能电路。一个最小的录放系统仅由一个驻极体话筒、一个喇叭、两个按钮、一个电源和少量的电阻电容组成。 ...
https://www.eeworm.com/dl/938528.html
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技术资料 pwm 算法

在蓄电池应用领域, 铅酸蓄电池以可靠、电容量大、维护简单等特点占有很大的市场。本文太阳能铅酸蓄电 池的充电方案采用了在单片机领域应用最广的51 单片机, 依靠adc 进行模拟量数据采集并在51 上采用软件实现pwm 算法 对12v 铅酸蓄电池进行( 三段精细) 充电控制, 得到良好的控制效果。基于51 单片机的铅酸蓄电池充电器的实 ...
https://www.eeworm.com/dl/940682.html
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技术资料 双定子静电微电机控制系统的信号检测研究

·摘要:  介绍了一种基于悬浮转子微陀螺的双定子轴向静电微电机控制系统的信号检测方法,它对实现悬浮转子旋转驱动的闭环控制尤为重要,其主要特点是采用互相关检测-锁定放大、DSP控制直接数字频率合成(DDS)产生正弦波,并通过实际正弦波发生电路和系统仿真验证其可行性,这些提供了解决微小电容检测在实际电路实现上的一 ...
https://www.eeworm.com/dl/941773.html
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技术资料 DSP内嵌PLL中的CMOS压控环形振荡器设计

·摘要:  介绍了一种用于DSP内嵌锁相环的低功耗、高线性CMOS压控环形振荡器.电路采用四级延迟单元来获得相位相差90.的正交输出时钟,每级采用调节电流源大小,改变电容放电速度的方式.基于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型的仿真结果表明,电路可实现2MHz至90MHz的频率调节范围,在中心频率附近具有很高的调节线性度,且总功耗仅 ...
https://www.eeworm.com/dl/944827.html
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技术资料 基于DSP的导航飞控系统的抗干扰设计

· 摘要:  基于DSP2812的某型无人机导航/飞控系统,针对电源干扰而导致DSP的复位问题,从硬件和软件两个方面进行处理;硬件上,采用电容去除电源的噪声,尽量避免DSP的复位,软件上,采用复位标志区分系统是上电复位还是异常复位,对异常复位作特殊处理,保证DSP复位后系统能保持复位前的,引入看门狗模块,程序跑飞或死机 ...
https://www.eeworm.com/dl/948838.html
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技术资料 期刊论文:基于DSP的容性设备介质损耗因数在线监测方法

·论文摘要:介绍了电容型设备介质损耗因数在线监测的原理以及监测系统的组成,分析了测量结果的误差来源以及提高测量精度的方法,以谐波分析法为基础,采用基于DSP的跟踪频率变化交流同步采样技术,确保每个周期采样128个点,用快速傅里叶变换(FFT)求出电压、电流信号基波傅里叶系数,通过RS-485总线传给上层变电站信息 ...
https://www.eeworm.com/dl/952452.html
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技术资料 掉电检测电路在MCS-51单片机系统

本文介绍了一个简单的掉电检测电路,在使用该电路时应在5V电源加上容量较大的电容,同时要用到MCS-51的一个外部中断,结合一定软件编程技巧可以实现掉电检测.它在智能计数器产品中得到了很好的应用,实现了在系统掉电时保存当前记录数据.该电路成本低,结合掉电存储芯片24C02,在MCS-51应用中可以代替一些价格较贵的掉电检测芯片. ...
https://www.eeworm.com/dl/958026.html
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技术资料 LM386功率放大器典型电路

LM386 是美国国家半导体公司生产的音频功率放大器,主要应用于低电压消费类产品。为使外围元件最少,电压增 益内置为20。但在1 脚和8 脚之间增加一只外接电阻和电容,便可将电压增益调为任意值,直至 200。输入端以地位 参考,同时输出端被自动偏置到电源电压的一半,在6V 电源电压下,它的静态功耗仅为24mW,使得LM386 特别适用于 ...
https://www.eeworm.com/dl/973348.html
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技术资料 单片机定时器

软件定时:软件定时不占用硬件资源,但占用了CPU时间,降低了CPU的利用率。 采用时基电路定时:例如采用555电路,外接必要的元器件(电阻和电容),即可构成硬件定时电路。但在硬件连接好以后,定时值与定时范围不能由软件进行控制和修改,即不可编程。 采用可编程芯片定时:这种定时芯片的定时值及定时范围很容易用软件来 ...
https://www.eeworm.com/dl/989767.html
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技术资料 IGBT电压浪涌产生的机理分析

通过对全桥逆变电路工作过程的分析,认为高频变压器中的漏感、吸收回路中的电感,以及续流二极管在IGBT关断瞬间不能及时导通续流是绝缘栅双极型晶体管IGBT电压产生浪涌的根本原因;指出在保护电路中选取适当的电阻和电容值,减小变压器漏感,降低吸收回路电感是控制IGBT电压浪涌的有效方法;最后给出的实验验证 ...
https://www.eeworm.com/dl/992031.html
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