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技术资料 CCD与CMOS摄像机的区别
CCD 和CMOS 的区别一、CCD 和CMOS 在制造上的主要区别是CCD 是集成在半导体单晶材料上，而CMOS 是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别。CCD 只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD 制造工艺较复杂，采用CCD 的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造，目前CCD 和CMOS 的 ...
技术资料 芯片封装失效分析
封装作为微电子产业的三大支柱之一，在微电子产业中的地位越来越重要。随着微电子产业不断的发展，轻型化，薄型化，小型化的微小间距封装成为发展需要。而封装的相关失效成为制约封装向前发展的瓶颈。本文通过大量的调研文献，对封装失效分析的目的，内容和现状进行总结，并对封装失效分析的未来发展进行展望。本文的主题是 ...
技术资料 全彩OLED屏显示系统的设计
1引言有要发光二极管（OLED）具有低驱动电压、宽温工作、主动发光、响应速度快和视角宽等优点]，其作为全彩显示器件，与LCD相比，具有更简单的工艺和更低的成本。近年，单色和局域色的OLED显示屏已有较多报道~1，并推出了全彩OLED显示屏~9]。本文研制了尺寸为1.9、分辨率为128（×3）×160的全彩OLED屏。在目前报道的同等或 ...
技术资料 数控玻璃切割机上位机软件的研究与开发
玻璃由于其透明、透光、反射、多彩、光亮的特性，已经作为一种重要的建筑、装饰材料被广泛地应用在各个领域，市场潜力十分巨大。但是，国内玻璃加工行业技术相对落后，自动玻璃切割系统多依赖于进口，价格昂贵，维修费用高，周期长而且很难考虑到我国用户的特殊要求。因此，自主开发自动玻璃切割系统具有重要的现实意义，它 ...
技术资料 GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分 ...
技术资料 超薄芯片Backend工艺分析及失效研究
本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力 ...
技术资料 半导体芯片失效分析
从典型的表面贴装工厂的实践来看，半导体失效原因主要分为与材料有关的失效、与工艺有关的失效，以及电学失效。通常与材料和工艺有关的失效发生的较为频繁，而且失效率很高，但是占有90%以上的失效并不是真正的失效，有经验的工艺工程师和失效分析工程师可以通过 射线焊点检测仪、扫描电子显微镜、能量分散谱、于同批产品交 ...
技术资料 IPC J-STD-033D-CN-湿度、再流焊和工艺敏感器件的操作、包装、运输及使用
简要介绍本文件的目的是，针对潮湿、再流焊和工艺敏感器件，向生产商和用户提供标准的操作、包装、运输及使用方法。所提供的这些方法可避免由于吸收湿气和暴露在再流焊温度下造成的封装损伤，这些损伤会导致合格率和可靠性的降低。一旦正确执行IPC/JEDEC J-STD-033D，这些工艺可以提供从密封时间算起12个月的最短保质期。由 ...
技术资料 Sentaurus TCAD器件工艺模拟教程
Sentaurus是Synopsys公司的专门用于半导体器件制造工艺和电学特性仿真的EDA软件，可以给出掺杂、电势分布等物理特性。