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整流电容 的查询结果
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模拟电子 E54显示器整机线路分析
经整流桥整流出的直流电压 110V，由D906 整流，经R911，R912 后，再由C911 滤波，到UC3842 的⑦脚，当⑦脚，当⑦脚电压在16V-34V 之间时，UC3842 开始工作，此时⑧脚有了5V 的基准电压，⑥脚输出脉冲，使开关管Q901 导通，此时，变压器初级线圈（4-6）有电流产生，产生感应电动势，根据互感原理，初级线圈（1-2）也产生感应 ...
模拟电子 CMOS和TTL电路探讨
通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度- ...
模拟电子 寄生电容在升压变压器中的设计应用
One of the most critical components in a step-up design like Figure 1 is the transformer. Transformers have parasitic components that can cause them to deviate from their ideal characteristics, and the parasitic capacitance associated with the secondary can cause large resonating current spikes on ...
模拟电子 压控振荡电路的设计
能实现VCO 功能的电路很多，常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器，积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点，下面做简要分析，并选择最合适的方案。
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模拟电子 MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spe ...
模拟电子 低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时 ...
模拟电子 电子学名词介绍
电子学名词1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与 ...
模拟电子 实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的 ...
模拟电子 一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983. ...
模拟电子 LC正弦波振荡电路基础知识
LC 正弦波振荡电路
如果将该电路作为选频网络和正反馈，再加上基本放大电路和稳幅电路就构成LC正弦波振荡电路。
将电容和电感并联起来，在电容上施加一定电压后可产生零输入响应。这种响应在电容的电场和电感的磁场中交替转换便可形成正弦波振荡。
LC正弦波振荡电路的选频电路由电感和电容构成，可以产生高 ...