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技术资料 SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
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技术资料 基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结
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半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需 ...
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技术资料 电视机部件 器件 元件故障的判断 检测 修理与代换 张艳红.pdf
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