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峰均功率比 的查询结果
电源技术 一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
电源技术 SM7503高性能原边反馈控制功率开关芯片
SM7503是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可 ...
电源技术 SM7505高性能原边反馈控制功率开关芯片
SM7505是应用于离线式小功率AC/DC开关电源的高性能原边反馈控制功率开关芯片，在全电压输入范围内实现高精度恒压/恒流输出，精度均小于±3℅，并可使系统节省光耦和TL431等元件，降低成本。芯片内部集成了高压功率开关、逐周期峰值电流限制、VDD过压保护、VDD欠压保护、VDD电压嵌位等完善的保护功能，以提高系统的可 ...
电源技术 双开关正激转换器及其应用设计
单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在约 ...
电源技术 谊邦电子-半导体测试专家-IGBT测试-功率器件测试-分立器件全参数测试
西安谊邦电子 公司引进美国的先进半导体测试技术，在此基础上研制生产了YB6000系列半导体分立器件测试系统，该测试系统拥有功率大、速度快、精度高、测试种类全等技术特点，各项技术指标均达到国际领先水平。其雄厚的技术实力，多年的开发产品经验和独特严谨的设计方案使谊邦电子YB系列测试系统性能更加超群，品质更为可靠 ...
电源技术 CMOS射频功率放大器中的变压器合成技术
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计 ...
电源技术 常见正反激开关电源拓扑结构
常见DC/DC电源变换器的拓扑类型见表1～表3所列。表中给出不同的电路结构，同时也给出相应的电压及电流波形(设相关的电感电流为连续工作方式)。PWM表示脉宽调制波形，U1为直流输入电压，UDS为功率丌关管S1(MOSFFT)的漏一源极电压。ID1为S1的漏极电流。IF1为D1的工作电流，U0为输出电压，IL为负载电流。T为周期，t为UO呈高电 ...
电源技术 TSC系列可控硅动态无功功率补偿器
TSC系列可控硅动态无功功率补偿器采用大功率可控硅组成的无触点开关,对多级电容器组进
行快速无过渡投切,克服了传统无功功率补偿器因采用机械触点烧损,对电容冲击大等缺点。对各
种负荷均能起到良好的补偿效果。 TSC-W型补偿器采用的三相独立控制技术解决了三相不平衡冲
击负荷补偿的技术难题,属国内首创, ...
电源技术 38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器
38V/100A可直接并联大功率AC/DC变换器
随着电力电子技术的发展，电源技术被广泛应用于计算机、工业仪器仪表、军事、航天等领域，涉及到国民经济各行各业。特别是近年来，随着IGBT的广泛应用，开关电源向更大功率方向发展。研制各种各样的大功率，高性能的开关电源成为趋势。某电源系统要求输入电压为AC220V，输出电压为DC38 ...
传感与控制 新型四相SR电机功率变换器的分析与设计
功率变换器是开关磁阻电动机调速系统（SRD）中的重要组成部分，现有的各种功率变换器大都有这样或那样的问题与不足，关键是不能保证较好的性能价格比。本文通过对两种常用的四相开关磁阻电动机（SR）功率变换器主电路进行分析，优化、综合常用的主电路，给出了目前最优的四相SR电机功率变换器主电路型式——最少主开关型， ...