搜索结果
找到约 3,701 项符合
导通电阻 的查询结果
技术资料 变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断
本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块,及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点,但也有导通压降大,电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点,如电流控制、导通压降小,功率容量大等,二者复合,正所谓优势互补。IGBT管子,或 ...
技术资料 concept的IGBT驱动板原理解读
MOD(模式选择)MOD 输入,可以选择工作模式直接模式如果MOD 输入没有连接(悬空) ,或连接到VCC,选择直接模式,死区时间由控制器设定。该模式下,两个通道之间没有相互依赖关系。输入INA 直接影响通道1,输入INB直接影响通道2。在输入( INA 或INB )的高电位, 总是导致相应IGBT 的导通。每个IGBT接收各自的驱动信号。 ...
技术资料 一种新型的IGBT短路保护电路的设计
固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言,电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外,还对供电系统的可靠性等提出更高的要求IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件,开关频率高,广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当,它很容易损坏。一般认为IGBT损坏的主 ...
技术资料 新能源汽车电机控制器IGBT模块的驱动技术
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、 ...
技术资料 怎样判断IGBT、MOS管的好坏
怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则 ...
技术资料 电磁炉IGBT管击穿原因
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中,功率管的损坏占有相当大的比例,若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一:谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良,将导致电磁炉LC 振荡 ...
技术资料 全波精密整流电路
当山>0时,必然使集成运放的输出uo<0,从而导致二极管D2导通,D1截止,电路实现反相比例运算,输出电压当u<0时,必然使集成运放的输出uo>0,从而导致二极管D1导通D2截止,R+中电流为零,因此输出电压uo=0。u和uo的波形如图(b)所小如果设二极管的导通电压为0.7V,集成运放的开环差模放大倍数为50万倍,那么为使二极管D1导 ...
技术资料 自制家用简易逆变器电路图
电路见图1当把开关K1打向“逆变”位置时,BG1导通,由时基电路NE555及外围元件组成的无稳态多谐振荡器开始振荡,其充?放电时间常数可调节?如果选择R1=R2则输出脉冲的占空比为50%,该多谐振荡器的振荡频率f=1.443/(R1+R2+2W)C2,图中的元件数值可使振荡频率调在50Hz,振荡脉冲由役脚输出,波形为方波,该方波经C4耦合,R ...
技术资料 无感FOC控制原理
FOC的控制核心——坐标变换■坐标系口一定子坐标系(静止)一A-B-C坐标系(三相定子绕组、相差120度)一a-β坐标系(直角坐标系:a轴与A轴重合、β轴超前a轴90度)口一转子坐标系(旋转)-d-q坐标系(d轴一转子磁极的轴线、q轴超前d轴90度)口一定向坐标系(旋转)M-T坐标系(M轴固定在定向的磁链矢量上,T轴超前M轴90度) ...
技术资料 STM32变频器方案 产品级 含详细软硬件设计说明
系统原理说明:结构上,该逆变器采用模块化的设计思想,分别为升压模块、逆变模块、低通滤波器等。通过升压模块M1进行DC/DC变化,将输入110VDC电压转换350VDC,然后通过逆变模块M2进行DC/AC变换,输出三相200VAC的SPWM波,最后经过输出滤波器滤波后输出三相200V正弦波。逆变器仅在紧急情况下使用,系统上采用了简洁、可靠的 ...