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技术教程 电子元器件抗ESD技术讲义.rar
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4
第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5
1.1 静电和静电放电的定义和特点 5
1.2 对静电认识的发展历史 6
1.3 静电的产生 6
1.3.1 摩擦产生静电 7
1.3.2 感应产生静电 8
1.3.3 静电荷 8
1.3.4 静电势 8
1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9
1.4 静电的来源 10
1.4.1 人体静电 1 ...
技术资料 电子元器件抗ESD技术讲义.rar
电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4
第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5
1.1 静电和静电放电的定义和特点 5
1.2 对静电认识的发展历史 6
1.3 静电的产生 6
1.3.1 摩擦产生静电 7
1.3.2 感应产生静电 8
1.3.3 静电荷 8
1.3.4 静电势 8
1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9
1.4 静电的来源 10
1.4.1 人体静电 1 ...
技术资料 MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。 ...
技术资料 微加速度计在恶劣环境下的可靠性
微加速度计的可靠性问题是其能否迅速走向市场的关键。本文对压阻式悬臂梁加速度计在不同的环境下的失效模式进行了讨论，并给出了一些加速度计可靠性设计方面的建议，可以为其他科研工作者提供参考。
技术资料 专利法律状态信息分析的理论研究及其实证
·摘要：  专利法律状态信息的重要性不言而喻,但对其的分析与利用尚未引起足够的重视.在建立系统的专利法律状态信息分析框架后,对授权率分析、专利寿命分析和失效专利分析进行了详细的论述,并对专利申请信息分析和专利法律状态信息分析的特点进行了比较.   ...
技术资料 铝电解电容器承受纹波电流计算
CD11H-100V-10mF-M（相对应SAMXON GF Series）产品在实际使用时，外形尺寸φ10×20 与φ16×25比较，前者易失效，而后者不易失效。初步分析如下：电解电容应用于电路中，主要是作为电源的滤波元件，讯号的旁路、耦合等，它们在工作时有一个共同的特点就是在直流电压上要叠加不同频率的交流成份，即有纹波电压作用在电容器上 ...
其他 破解“国际领先的Nprotect键盘加密技术”
破解“国际领先的Nprotect键盘加密技术”，对于老版本（QQ2005），前辈们有很多办法了：有直接改写npkcntc.dll的，有将npkcntc.dll删除，然后hook住LoginCtrl.Dll将带红叉图片的替换为不带红叉的。但似乎那些对于新版本QQ都失效了，以上两种方法都逃不过LoginCtrl.Dll里面的验证函数，QQ启动会受到阻止。 ...
嵌入式/单片机编程 第一代Sandstorm家族
第一代Sandstorm家族，与JTAG复用的GPIO可以直接配置。但是不够安全，意外的配置有可能导致JTAG连接失效。
对于第二代Fury和第三代DustDevil家族，由于GPIOLOCK等寄存器的保护，相关Pin默认为JTAG功能而不允许直接配置为GPIO功能。如果要想配置为GPIO功能，则必须首先执行解锁操作。
详见GPIO文档和例程。 ...
技术资料 电离总剂量辐射效应试验研究
对80C196KC单片机系统的电离总剂量辐射效应进行了动态、静态对比试验.结果表明,该单片机系统不加电状态下总剂量失效水平约为5.8×102Gy(Si),而加电动态工作时约为1.25×102Gy(Si).可见,加电动态工作时的抗总剂量能力大约只有不加电状态下的1/5强. ...
技术资料 用小波分析法分离变风量系统流量传感器故障
·摘 要:阐述了主成分分析法对变风量（VAV）系统流量传感器故障识别失效的原因，给出了小波分析法的特点及其原理，着重描述了如何运用小波分析分离VAV系统中的共线性流量传感器故障。实例研究结果表明：小波分析能够很好地识别共线性的流量传感器故障。[著者文摘]  ...