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论文 第一性原理研究MoS2的电子结构及光学性质
为了系统深入地研究MoS2的电子能带结构和光电性质，基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方
法，计算和分析了材料MoS2的电子结构及其光学性质，给出了MoS2 的能带结构、光吸收谱、电子态密度、能
量损失谱、反射谱、介电函数谱等光学性质。计算结果表明：体材料MoS2的电子跃迁形式是非垂直跃迁，具有
间接带隙的半导体材 ...
经验 pcb设计规范
 
 
如果
PCB
用排线连接，控制排线对应的插头插座必须成直线，不交叉、不扭曲。
 
 
连续的
40PIN
排针、排插必须隔开
2mm
以上。
 
 
考虑信号流向，合理安排布局，使信号流向尽可能保持一致。
 
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手册 TA8211
TA8211是日本东芝半导体公司早期出品的一款双通道音频功率放大器，其具备6w x 2 输出功率，典型工作电源电压20V；适用于彩色电视机，收录机功率放大器和家庭音响等应用场合。TA8211采用单排12引脚直插封装工艺。
教程 数字电子技术基础.(阎石.第5版)
这套教材是参照高等学校工科基础课电工,无线电类教材会议在 1977 年11 月制定的“电子技术基础”(自动化类)编写大纲和各兄弟院校后来对该大纲提出的修改意见编写的,以《模拟电子技术基础》和《数字电子技术基础》两书出版。本书是其数字电子技术基础部分。全书共有九章,分为上、下两册。上册包的做制国的转换运算真数运算小 ...
技术资料 智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603
电动汽车、SiC功率管发展趋势
技术资料 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...
书籍 最新金属材料牌号、性能、用途及中外牌号对照速用速查实用手册.1
金属材料及其制品的
牌号、成分、性能、用途等知识均给予详细的阐述，具体包括金属材料基本知识，钢
材料的牌号、成分、性能、用途以及铁与铁合金、铜与铜合金、铝与铝合金、镁与镁
合金、锌与锌合金、钛与钛合金、镍与镍合金、粉末冶金、稀土金属、稀有金属、贵金
属及其合金、金属复合材料、专用合金、半金属与半导体材料 ...
技术资料 Fundamentals of Semiconductor Manufacturing And Process Control
半导体生产和过程控制的基础 这是一本系统介绍芯片生产工艺基础的好书，叙事严谨，条理清晰，值得一看
技术资料 针对超大规模集成电路设计的EDA工具原理解析
半导体制造技术的进步带来的新应用继续以惊人的速度增长。广泛的新产品，从高性能处理器到各种低功耗便携式设备，再到微型感应/通信/驱动芯片，促进了各种新的应用，这些应用已经改变并将继续改变我们的日常生活。然而，随着半导体行业向更小的特征尺寸发展，嵌入在超大规模集成电路（VLSI）中的晶体管数量持续增长，在高质 ...
技术资料 L6599AD-应用电路.pdf
随着开关电源的发展，软开关技术得到了广泛的发展和应用，已研究出了不少高效率的电路拓扑，主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来，随着半导体器件制造技术的发展，开关管的导通电阻，寄生电容和反向恢复时间越来越小了，这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说，如果设计得当，能实 ...