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技术资料 美国国家半导体功放芯片详解
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技术资料 硅基GaN功率半导体技术总结
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技术资料 SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结
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技术资料 4mm腔长高功率单管半导体激光器封装应力的研究
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技术资料 基于UCC27322的中功率半导体激光器驱动电路设计(精)总结
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技术资料 利用可蒸发的介电流体冷却汽车动力系统中的IGBT功率半导体
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技术资料 半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN SiC）材料及器件测试
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需 ...