搜索结果
找到约 280 项符合
关断 的查询结果
按分类筛选
技术资料 基于PIC的智能异步电机软起动器的研究.rar
为了减小异步电机在起动过程中过高电流对电网的冲击，消除传统降压起动对电器和机械设备的不利影响，提高电机的起动特性，本文基于电力电子技术对异步电机的软起动进行了较为深刻的研究。 本文介绍并设计了一种基于PIC18F4550的新型的软起动器。在功能上，除了具有一般的电压斜坡软起动和电流限流软起动功能，还增加了专门 ...
单片机编程 PCF8579 I2C接口的LCD点阵图形列驱动器芯片简介
PCF8579是一款低功耗的CMOS LCD列驱动器，以1:8，1:16，1:24或1:32的复用率驱动点阵图形显示器。该器件含40个输出脚，可驱动一个32行复用的32×40点阵LCD。最多可级联16个PCF8579，同一I2C总线上最多可挂载32个器件（使用2个从机地址）。PCF8579最适合与PCF8578 LCD行/列驱动器配合使用，这两个器件共同形成了通用LCD点阵驱 ...
技术资料 MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产 ...
技术资料 IGBT基本参数详解
1，Vs：集射极阻断电压在可使用的结温范围内，栅极和发射极短路状况下，集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据，随着结温的降低，VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感，IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2，Poat：最大允许功耗在25℃时，IGBT开关的最大允许功率损耗，即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =（Ty ...
技术资料 固态感应加热电源的高频化技术研究.rar
为了降低功率器件损耗，提高电源的频率，本文在分析和对比并联和串联逆变器优缺点的基础上，选择了串联谐振型逆变器，提出采用分时控制方法实现MOSFET固态感应加热电源的高频化技术。MOSFET器件具有开关速度快等优点，更加适合做高频电源，同时分析了MOSFET的开通和关断过程，并通过理论计算得出了MOSFET器件在分时和并行两 ...
技术资料 TPS61088升压模块PCB
TPS61088 具有 10A 开关的 13.2V 输出，同步升压转换器PS61088 是一款高功率密度的全集成升压转换器，配有一个 11mΩ 功率开关和一个 13mΩ 整流器开关，可为便携式系统提供高效的小尺寸解决方案。TPS61088 具有 2.7V 至 12V 的宽输入电压范围，可支持 用于 单节或双节锂电池。该器件具备 10A 开关电流能力，并且能够提供高 ...
电源技术 280W移相全桥软开关DC
移相控制的全桥PWM变换器是最常用的中大功率DC／DC变换电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感或原边串联电感作为谐振元件，使开关管能进行零电压开通和关断，从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声，减少了器件开关过程中产生的电磁干扰，为变换器提高开关频率、提高效率、减小尺寸 ...
技术资料 concept的IGBT驱动板原理解读
MOD（模式选择）MOD 输入，可以选择工作模式直接模式如果MOD 输入没有连接（悬空） ，或连接到VCC，选择直接模式，死区时间由控制器设定。该模式下，两个通道之间没有相互依赖关系。输入INA 直接影响通道1，输入INB直接影响通道2。在输入（ INA 或INB ）的高电位， 总是导致相应IGBT 的导通。每个IGBT接收各自的驱动信号。 ...
技术资料 基于LTspice的开关电源设计及仿真
引言开关电源（SMPS：Switch Mode Power Supply）是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时问比率，维持稳定输出电压的一种电源·非隔离式DC/DC变换具有六种基本拓扑结构：降压（Buck）变换器升压（Boost）变换器极性反转升降压（Buck2Boost）变换器Cuk（Boost2Buck 联）变换器Sepic变换器Zeta变换器[-1，与线性电 ...
技术资料 手机充电器电路原理图分析
分析一个电源，往往从输入开始着手。220V交流输入，一端经过一个4007半波整流，另一端经过一个10欧的电阻后，由10uF电容滤波。这个10欧的电阻用来做保护的，如果后面出现故障等导致过流，那么这个电阻将被烧断，从而避免引起更大的故障。右边的40074700pF电容、82K9电阻，构成一个高压吸收电路，当开关管13003关断时，负责 ...