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互补对称功率放大电路原理

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功率放大电路仿真分析

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音频功率放大电路设计

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硅基GaN功率半导体技术

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了解功率MOS管的规格特性

文档包含了解功率mos规格参数及特性介绍,有助于提升对mos的参数和特性的认知。
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功率半导体器件:理论及应用

功率半导体器件:理论及应用,基础知识应用
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大功率器件IGBT散热分析

0引言任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中,大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗,这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作,必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w,室温25℃时),必须保证1GBT的结温T,不超过其最大值Timar 50 ...
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美磁功率磁芯数据手册

美磁功率磁芯数据手册,算是一份比较全的磁芯手册
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功率放大器总结

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MACOM 高功率GaN产品组合

GaN技术相比传统LDMOS的优势已经不必多说,这项技术在RF领域已经得到认可。更小尺寸、更高效能、更大功率和更宽带宽;这些优势都是LDMOS所不能比拟的。即便如此,目前GaN技术还是没有完全取代LDMOS。这是为什么呢?主要是三方面的原因限制了GaN技术产品的普及。第一就是成本,与传统LDMOS相比GaN的成本较 ...
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