MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.
1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能
力没有IGBT强。
本书是一本介绍开关电源理论与工程设计相结合的工具书，介绍了电源在系统中的作用、电源设计流程、开关电源设计、开关电源与线性电源的比较、改善开关电源效率的整形技术。重点介绍了开关电源电路拓扑的选取、变压器和电感设计、功率驱动电路、反馈补偿参数的设计、保护电路。对减少开关电源损耗的先进技术，如同步整流技术、无损吸收电路、波形整形技术，也作了深入的介绍。另外，通过大量实例，介绍了开关电源的设计方法，
一般来讲，三极管是电流驱动的，MOSFET是电压驱动的，因为我是用CPLD来驱动这个开关，所以选择了用MOSFET做，这样也可以节省系统功耗吧，在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题