MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.
1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能
力没有IGBT强。
该文档介绍了mosfet管驱动电阻设计时需要考虑的一些要点
主要对MOS参数对比翻译和讲解各个参数的含义,以及对这些参数的使用和计算
一般来讲,三极管是电流驱动的,MOSFET是电压驱动的,因为我是用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用MOSFET做,这样也可以节省系统功耗吧,在做开关管时有一个必须注意的事项就是输入和输入两端间的管压降问题