at45db041.c

这些源码有的是我自已公司使用的一些实用的程序

#define FLASH_GLOBAL
#include "includes.h"

/*********************************************************************************************************

ＦＬＡＳＨ器件采用的是大容量闪烁存储器ＡＴ４５Ｄ０４１，它采用串行方式传送数据，时钟频率可高达２０ＭＨｚ, 并采用单５Ｖ电源供电。
ＡＴ４５Ｄ０４１内部由主存储器阵列、两个ＳＲＡＭ数据缓冲区ＢＵＦＦＥＲ１、ＢＵＦＦＥＲ２以及Ｉ／０接口组成。
其中主存储器阵列容量为４Ｍ Ｂｉｔｓ,由２０４８页组成，每页２６４字节

********************************************************************************************************/

/*********************************************************************************************************
FLASH_CS	GPF2             
FLASH_SO	GPG3 		//ARM的输入口            
FLASH_SCK	GPF3              
FLASH_SI	GPG0           
FLASH_RST	GPF4              
FLASH_WP	GPG2   	  
********************************************************************************************************/
//要重新定义
#define SetFLASH_CS()	SetBit(rPDATF,2)
#define ClrFLASH_CS()	ClrBit(rPDATF,2)
#define SetFLASH_SO()	SetBit(rPDATG,3)
#define ClrFLASH_SO()	ClrBit(rPDATG,3)
#define SetFLASH_SCK()	SetBit(rPDATF,3)
#define ClrFLASH_SCK()	ClrBit(rPDATF,3)
#define SetFLASH_SI()	SetBit(rPDATG,0)
#define ClrFLASH_SI()	ClrBit(rPDATG,0)
#define SetFLASH_RST()	SetBit(rPDATF,4)
#define ClrFLASH_RST()	ClrBit(rPDATF,4)
#define SetFLASH_WP()	SetBit(rPDATG,2)
#define ClrFLASH_WP()	ClrBit(rPDATG,2)
#define TstFLASH_SO()	TstBit(rPDATG,3)
//
static void WriteFlash(uint8 dat);
static uint8 ReadFlash(void);
static void WriteBuffer1ToMainMemo(uint16 page);
static void WaitBusy(void);
static void WriteMainMemoToBuffer1(uint16 page);
static void WriteBuffer1(uint16 addr, uint8 num, uint8 *dat);
static void PageWriteMainMemo(uint16 page,uint16 p_addr,uint8 num,uint8 *dat);
static void Write24BitAddr(uint32 b_addr);
static void WriteFlashAddr(uint32 addr);

static uint8 TestFlash(void);
void FlashResumeFactorySet(void);
void UserSetInit(void);
//
/*
void Delay(uint16 dly)
{
	while(dly --);
}	
*/
/*********************************************************************************************************
** 函数名称: FlashInit
** 功能描述: Flash初始化,对新FALSH作检查及I/O口输入输出的配置
** 输　入:	无 
** 输　出:   无 
** 说  明：       
********************************************************************************************************/
void FlashInit(void)
{
	rPCONF = rPCONF & (~(0x3f << 4)) | (0x15 << 4);	//F2,F3,F4 输出
	rPCONG = rPCONG & (~(0x3));						//G0 ,输入
	rPCONG = rPCONG & (~(0x0f << 4)) | (0x05 << 4);	//G2,G3 输出 
	RstFlash();
	if(TestFlash() == NEW_FLASH)
	{
		FlashResumeFactorySet();
	}				
	UserSetInit();					//加载flash中的数据
}


void RstFlash(void)
{
	SetFLASH_CS();
	SetFLASH_SO();
	SetFLASH_SI();
	ClrFLASH_RST();
	Delay(1000);			//Delay(1000)
	SetFLASH_RST();
	ClrFLASH_SCK();
	SetFLASH_WP();
	Delay(1000);			//Delay(1000)
}

/*********************************************************************************************************
********************************************************************************************************/
uint8 const Pearmain[] = {'p','e','a','r','m','a','i','n'};
uint8 const FactorySet[] = {0x00,0x01,0x01,0x01,0x00,0x01,0x01,0x01,
							0x01,0x01,0x01,0x00,0x01,0x01,0x00,0x01,
							0x00,0x00,0x02,0x00,0x01,0x01,0x01,0x00,
							0x00};
/*	偏移量 20
	0	数字变倍允许，默认关闭
	....
*/

static uint8 TestFlash(void)
{
	uint8 i;
	uint8 buf[8];
	ReadMainMemo(0,8,buf);			//读前8位判断是否是新FLASH
	for(i=0;i<8;i++)
	{
		if(Pearmain[i] != buf[i])
		{
			break;					//不匹配，新FLASH
		}
	}
	if( i < 8)
	{
		return NEW_FLASH;
	}
	else
	{
		return NOT_NEW_FLASH;
	}
}	

void FlashResumeFactorySet(void)
{
//	WriteMainMemo(0,8,(uint8 *)Pearmain);
//	WriteMainMemo(20,25,(uint8 *)FactorySet);
}

void UserSetInit(void)				//加载flash中的数据
{

}

/*********************************************************************************************************
** 函数名称: ReadMainMemo
** 功能描述: 连续从主储存器中读出num个数据
** 输　入:	addr: 主储存器地址 
**		   	num:  数据个数，最大255个字节 
**          dat:  数据缓存区首地址
** 输　出:
**
*******************************************************************************************************/
void ReadMainMemo(uint32 addr, uint8 num, uint8 *dat)
{
	uint8 i;
	if (num == 0) return;
	WaitBusy();
	ClrFLASH_CS();
	WriteFlash(0xE8);		 					//写命令
	WriteFlashAddr(addr);
	for (i = 0; i < 4; i++) {					//32位无效码
		WriteFlash(0);				  
	}
	for (i = 0; i < num; i++) {
		*(dat+i) = ReadFlash();
	}
	SetFLASH_CS();
}
/*********************************************************************************************************
** 函数名称: WriteMainMemo
** 功能描述: 连续从主储存器中写入num个数据
** 输　入:	addr: 主储存器地址 
**		   	num:  数据个数，最大255个字节 
**          dat:  数据缓存区首地址
** 输　出:    
**
*******************************************************************************************************/
void WriteMainMemo(uint32 addr, uint8 num ,uint8 *dat) 
{
	uint16 page,p_addr;
	uint8 n;
//	SetFLASH_WP();
	if (num == 0) {
//		ClrFLASH_WP();
		return;
	}
	p_addr = addr % 264;						//9位，页内字节
	page = addr / 264;							//片内页数
												//判断是否要分页
	if ((p_addr + num) > 264) { 
		n = 264 - p_addr;
		PageWriteMainMemo(page,p_addr,n,dat);
		num = num + p_addr - 264;
		PageWriteMainMemo(page+1,0,num,dat+n);
	}
	else {
		PageWriteMainMemo(page,p_addr,num,dat);
	}
//	ClrFLASH_WP();
}
//
/*
功能    ：檫除块内数据，1块为8页
入口参数：block  指定块，0~255块，共2048页
出口参数：无
void EraseBlock(uint8 block) {
	uint32 b_addr;
	WaitBusy();
	ClrFLASH_CS();		
	Delay(5);
	WriteFlash(0x50);		 //写命令
	b_addr = (uint32)(block)<<12;
	Write24BitAddr(b_addr);
	SetFLASH_CS();
	}
*/
/*********************************************************************************************************
** 函数名称: PageWriteMainMemo
** 功能描述: 页内连续写入num个数据，不支持分页操作
** 输　入:	page: 主储存器页数 
**          p_addr: 页内地址
**		   	num:  数据个数，最大255个字节 
**          dat:  数据缓存区首地址
** 输　出:    
**        
********************************************************************************************************/
static void PageWriteMainMemo(uint16 page,uint16 p_addr,uint8 num,uint8 *dat) 
{
	if (num == 0) return;
	if ((p_addr + num) > 264) num = 264 - p_addr;
	WaitBusy();
	ClrFLASH_CS();
	WriteMainMemoToBuffer1(page);
	WaitBusy();
	WriteBuffer1(p_addr, num, dat);
	WriteBuffer1ToMainMemo(page);
	SetFLASH_CS();
}
//
static uint8 ReadFlash(void) 
{
	uint8 i,dat;
	dat = 0;
	for (i = 0; i < 8; i++) {
		dat <<= 1;
		SetFLASH_SCK();
		if (TstFLASH_SO()) {	
			dat |= 1;	
		}  
		ClrFLASH_SCK();
	}
	ClrFLASH_SO();
	return dat;
}
	
static void WriteFlash(uint8 dat) 
{
	uint8 i;
	ClrFLASH_SI();
	for (i = 0; i < 8; i++) {
		if (dat >= 0x80) {
			SetFLASH_SI();		//FLASH_SI = (bit)(dat & 0x80);
		}
		else {
			ClrFLASH_SI();
		}
		dat <<= 1;
		SetFLASH_SCK();
		ClrFLASH_SCK();
	}
	ClrFLASH_SI();	//使FLASH_SI处于确定的状态。
}
												//写buffer1	
static void WriteBuffer1(uint16 addr, uint8 num, uint8 *dat) 
{
	uint8 i;
	ClrFLASH_CS();
	WriteFlash(0x84);		 					//写命令
	Write24BitAddr(addr);	 					//与合成的24位地址一致
	for (i = 0; i < num; i++) {
		WriteFlash(*(dat+i));
	}
	SetFLASH_CS();
}

/*
static void ReadBuffer1(uint16 addr,uint8 num,uint8 *dat) {
	uint8 i;
	ClrFLASH_CS();		
	Delay(5);
	WriteFlash(0xD4);		 //写命令
	Write24BitAddr(addr);	 //与合成的24位地址一致
	WriteFlash(0);
	for (i = 0; i < num; i++) {
		*(dat+i) = ReadFlash();
		}
	SetFLASH_CS();
	}
*/

static void WriteBuffer1ToMainMemo(uint16 page) 
{
	uint32 b_addr;
	ClrFLASH_CS();		
	WriteFlash(0x83);		 					//写命令
	b_addr = (uint32)(page)<<9;
	Write24BitAddr(b_addr);
	SetFLASH_CS();
}


static void WaitBusy(void) 
{
	uint8 dat;
	ClrFLASH_CS();		
	WriteFlash(0xD7);		 					//写命令
	do {
		dat = ReadFlash();
	}while(dat < 0x80);
	SetFLASH_CS();
}

static void WriteMainMemoToBuffer1(uint16 page) {
	uint32 b_addr;
	ClrFLASH_CS();		
	WriteFlash(0x53);		 					//写命令
	b_addr = (uint32)(page)<<9;
	Write24BitAddr(b_addr);
	SetFLASH_CS();
}

static void Write24BitAddr(uint32 b_addr) 
{
	uint8 dat[3],i;
	for (i = 0; i < 3; i++) {
		dat[i] = b_addr & 0xff;
		b_addr >>= 8;
	}
	for (i = 0; i < 3; i++) {
		WriteFlash(dat[2-i]);
	}
}

static void WriteFlashAddr(uint32 addr) 
{
	uint32 m;
	uint16 k;
	k = addr % 264;							//9位，页内字节
	m = addr / 264;							//片内页数
	m = k + (m << 9);						//合成24位地址
	Write24BitAddr(m);
}