J-FET场效应管的常用参数及含义

J-FET场效应管的常用参数及含义
 J-FET场效应管的常用参数及含义

 [ l ］饱和漏极电流 IdsS 。是指在 Ugs=OV, UdS>=|Up|时的漏极电流 Id 值。

 [ 2 ］夹断电压 Up 。是指当 UdS 固定时，使得 Id=O 时的栅源电压值；

 [ 3 ］直流输入电阻 RgS ，它等效于栅极直流电压 UgS 与栅极直流电流1g之比，J-FET 的 Rgs 往往在 10e8-10el2 Ohm之间。

 [ 4 ］栅源击穿电压 BVgS ，指 PN 结反向电流突增时的 Ugs 值；

 [ 5 ］漏源击穿电压 BVdS ，是指使 PN 结发生雪崩击穿时的 UdS 电压值；

 [ 6 ］最大直流功耗 Pdm=Id X UdS ;

 [ 7 ］跨导 Gm ，是指 UdS 为常数时，漏极电流的交流变化量与栅源电压的交流变化量之比：gm=△I/△Ugs

 [ 8 ］输出电阻 RdS ，是指在线性放大区， UgS 为常数时， UdS 的交流微变量与 Id 的交流微变量之比： Rds=△Uds/△Id ;

 [ 9 ］动态导通电阻 Ron ：特指在可变电阻区，当 UgS 为常数时， Uds 微变量与 Id 微变量之比： Ron=△Uds/△Ict ;

 [10 ］极间电容：J-FET 的三个电极之间的电容： CgS 、 CdS 、 Cdg