功率MOSFET的优缺点

 功率MOSFET的优缺点

功率MOSFET其优点是： 　　1) 开关速度快：功率MOSFET又称VDMOS，是一种多子导电器件，参加导电的是多数载流子，没有少子存储现象，所以无固有存储时间，其开关速度仅取决于极间寄生电容，故开关时间极短（小于50－100ns），因而具有更高的工作频率（可达100KHz以上）。 　　2) 驱动功率小：功率MOSFET是一种电压型控制器件，即通断均由栅极电压控制。完全开通一个功率MOSFET仅需要10－20毫微秒库仑的电荷，例如一个1安培、10毫微秒宽的方波脉冲，完全开通一个功率MOSFET仅需要10毫微秒的时间。另外还需注意的是在特定的下降时间内关断器件无需负栅脉冲。由于栅极与器件主体是电隔离的，因此功率增益高，所需要的驱动功率很小，驱动电路简单。 　　3) 安全工作区域（SOA）宽：功率MOSFET无二次击穿现象，因此其SOA较同功率的GTR双极性晶体管大，且更稳定耐用，工作可靠性高。 　　3) 过载能力强：功率MOSFET开启电压（阀值电压）一般为2－6v，因此具有很高的噪声容限和抗干扰能力。 　　4) 并联容易：功率MOSFET的通态电阻具有正稳定系数（即通态电阻随结温升高而增加），因而在多管并联时易于均流，对扩大整机容量有利。 　　5) 功率MOSFET具有较好的线性，且对温度不敏感。因此开环增益高，放大器级数相对可减少。 　　6) 器件参数一致性较好，批量生产离散率低。 　　功率MOSFET的缺点：导通电阻大，且随温度升高而增大。