电力用晶闸管及SI晶闸管介绍
1 晶闸管
晶闸管是由 p 型半导体和 n 型半导体形成的四层三端硅半导体整流元件，也有四层三端以上的。代表性的晶闸管有三个电极：阳极（ A ）、阴极（ K ）和控制极（ G ）。晶闸管也称硅可控整流元件.简记为 SCR 。
图 ll . 9 ( " ）为晶闸管内部的原理结构，图（ b ）是符号图，图（ c ) 是结构，图（ d ）是外观图。下面介绍电压一电流特性。
(1)施加反向电压时给 A 极施以负电压、 K 极施以正电压时，和硅二极管一样，几乎无反向电流。 
(2)施加正向电压但无控制极电流儿时图 11 . 10 （的给出了施加正向电压时的电压一电流特性。电压徐徐升高，但电流几乎没有，这时称为阻断状态。若再进一步升高电压，则在某一电压（转折电压）时，电流急剧增加。这时为导通状态。进入导通状态时 A 、 K 间电压急剧降至数 V 以内。晶闸管从阻断状态到导通状态的过渡称为击穿（ turn 一 on ）或点燃，这时具有阻断和导通两个稳定状态。
( 3 ）施加正向电压且控制极有电流Ic时图(b)标示出了 A 、 K 间施