该资料详细分析了功率MOS管的开关损耗，给出了详细的计算过程
大功率超高速半导体开关RSD 功率损耗特性分析
资料详细技术说明
介绍了RSD(Reversely Switched Dynistor)的结构和基本工作原理，基于n 基区中等离子体双极漂移的方程式定量分析了RSD 的开通过程，得到了功率损耗在不同时间段的表达式，计算
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