％ 用于模拟PN结中载流子的分布、电场和电势 ％ 总长为 L 的半导体截面上

资 源 简 介

％ 用于模拟PN结中载流子的分布、电场和电势 ％ 总长为 L 的半导体截面上，左侧为 N 区，掺杂浓度 NA；右侧为 P 区，掺杂浓度为 ND ％ 假设截面积足够大

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