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ESD_Technology - 资源详细说明
在互補式金氧半(CMOS)積體電路中，隨著量產製程
的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階
段，以增進積體電路(IC)的性能及運算速度，以及降低每
顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些
可靠度的問題。
的演進，元件的尺寸已縮減到深次微米(deep-submicron)階
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顆晶片的製造成本。但隨著元件尺寸的縮減，卻出現一些
可靠度的問題。
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