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％ 用于模拟PN结中载流子的分布、电场和电势 ％ 总长为 L 的半导体截面上 - 资源详细说明
％ 用于模拟PN结中载流子的分布、电场和电势
％ 总长为 L 的半导体截面上，左侧为 N 区，掺杂浓度 NA；右侧为 P 区，掺杂浓度为 ND
％ 假设截面积足够大
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