教你制作简单的耳机功放电路，可以推动较高阻抗的耳塞。
标签： 耳机放大器
上传时间： 2013-07-17
上传用户：liglechongchong
讯号路径设计讲座(9)针对高速应用的电流回授运算放大器电流回授运算放大器架构已成为各类应用的主要解决方案。该放大器架构具有很多优势，并且几乎可实施于任何需要运算放大器的应用当中。电流回授放大器没有基本的增益频宽产品的局限，随着讯号振幅的增加，而频宽损耗依然很小就证明了这一点。由于大讯号具有极小的失真，所以在很高的频率情况下这些放大器都具有极佳的线性度。电流回授放大器在很宽的增益范围内的频宽损耗很低，而电压回授放大器的频宽损耗却随着增益的增加而增加。准确地说就是电流回授放大器没有增益频宽产品的限制。当然，电流回授放大器也不是无限快的。变动率受制于晶体管本身的速度限制（而非内部偏置(压)电流）。这可以在给定的偏压电流下实现更大的变动率，而无需使用正回授和其它可能影响稳定性的转换增强技术。那么，我们如何来建立这样一个奇妙的电路呢？电流回授运算放大器具有一个与差动对相对的输入缓冲器。输入缓冲器通常是一个射极追随器或类似的器件。非反向输入是高阻抗的，而缓冲器的输出（即放大器的反向输入）是低阻抗的。相反，电压回授放大器的2个输入均是高阻抗的。电流回授运算放大器输出的是电压，而且与透过称为互阻抗Z(s)的复变函数流出或流入运算放大器的反向输入端的电流有关。在直流电情况下，互阻抗很高（与电压回授放大器类似），并且随着频率的增加而单极滚降。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：黄蛋的蛋黄
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2014-12-23
上传用户：7891
为了利用级联Blumlein型脉冲形成网络在高阻抗负载产生理想的高压平顶脉冲输出，开展了构成该脉冲功率源关键单元的始端电感和终端电感设计。从充电电压一致性，输出脉冲不发生严重畸变，高的电压叠加效率，可接受的负载预脉冲幅值出发，确定了始端电感和终端电感值的计算方法，利用锰锌铁氧体磁芯的饱和特性设计电感，通过实验开展锰锌铁氧体磁芯参数测试。研究表明锰锌铁氧体饱和和剩余磁感应强度之和约为1.75，饱和磁导率约3.3，非饱和磁导率约1 462，饱和电感值为7.3 mH，非饱和电感值3.2 mH。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：lyson
ADM2582E/ADM2587E是具备±15 kV ESD保护功能的完全集成式隔离数据收发器，适合用于多点传输线路上的高速通信应用。ADM2582E/ADM2587E包含一个集成式隔离DC-DC电源，不再需要外部DC/DC隔离模块。 该器件针对均衡的传输线路而设计，符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准。 它采用ADI公司的iCoupler®技术，在单个封装内集成了一个三通道隔离器、一个三态差分线路驱动器、一个差分输入接收器和一个isoPower DC/DC转换器。该器件采用5V或3.3V单电源供电，从而实现了完全集成的信号和电源隔离RS-485解决方案。 ADM2582E/ADM2587E驱动器带有一个高电平有效使能电路，并且还提供一个高电平接收机有效禁用电路，可使接收机输出进入高阻抗状态。 该器件具备限流和热关断特性，能够防止输出短路。 隔离的RS-485/RS-422收发器，可配置成半双工或全双工模式 isoPower™集成式隔离DC/DC转换器 在RS-485输入/输出引脚上提供±15 kV ESD保护功能 符合ANSI/TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准 ADM2587E数据速率： 500 kbps 5 V或3.3V电源供电 总线上拥有256个节点 开路和短路故障安全接收机输入 高共模瞬态抑制能力： >25 kV/μs 热关断保护
上传时间： 2013-10-26
上传用户：名爵少年
PCA9519 是一个4 通道的I2C 总线/SMBus 中继器，可以实现将低电压两线串行总线接口的处理器与标准的I2C 总线或SMBus I/O 相连。该中继器在电平转换中保持I2C 总线系统所有的模式和特点的同时，允许通过给数据总线（SDA）和时钟总线（SCK）提供双向缓冲区来扩展I2C 总线，从而使I2C 总线或SMBus 在高电压下最大容限电容为400PF。SDA 和SCL 引脚具有耐压保护功能，当PCA9519 掉电时，均呈现出高阻抗特性。
上传时间： 2013-11-23
上传用户：brilliantchen
磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u se d i n i nductancShi Yan Nanjing Finemag Technology Co. Ltd., Nanjing 210033 Abstract: Histrory of decreasing THD by improving the ratio loss coefficient and hysteresis constant of soft magnetic ferrite is briefly narrated. The effect of many factors which affect the harmonic wave testing is analysed. The way of improving the performance of ferrite cores is put forward. Key words: ratio loss coefficient，hysteresis constant，DC-Bias，THD 近年来，变压器生产厂家和软磁铁氧体生产厂家，在电感器和变压器产品的总谐波失真指标控制上，进行了深入的探讨和广泛的合作，逐步弄清了一些似是而非的问题。从工艺技术上采取了不少有效措施，促进了质量问题的迅速解决。本文将就此热门话题作一些粗浅探讨。 一、 历史回顾 总谐波失真（Total harmonic distortion） ，简称THD，并不是什么新的概念，早在几十年前的载波通信技术中就已有严格要求<1>。1978年邮电部公布的标准YD/Z17－78“载波用铁氧体罐形磁心”中，规定了高μQ材料制作的无中心柱配对罐形磁心详细的测试电路和方法。如图一电路所示，利用LC组成的150KHz低通滤波器在高电平输入的情况下测量磁心产生的非线性失真。这种相对比较的实用方法，专用于无中心柱配对罐形磁心的谐波衰耗测试。 这种磁心主要用于载波电报、电话设备的遥测振荡器和线路放大器系统，其非线性失真有很严格的要求。 图中 ZD —— QF867 型阻容式载频振荡器，输出阻抗 150Ω， Ld47 —— 47KHz 低通滤波器，阻抗 150Ω，阻带衰耗大于61dB， Lg88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB Ld88 ——并联高低通滤波器，阻抗 150Ω，三次谐波衰耗大于61dB FD —— 30～50KHz 放大器， 阻抗 150Ω， 增益不小于 43 dB，三次谐波衰耗b3(0)≥91 dB, DP —— Qp373 选频电平表，输入高阻抗， L ——被测无心罐形磁心及线圈， C ——聚苯乙烯薄膜电容器CMO-100V-707APF±0.5%,二只。 测量时，所配用线圈应用丝包铜电磁线SQJ9×0.12(JB661-75)在直径为16.1mm的线架上绕制 120 匝， （线架为一格） ， 其空心电感值为 318μH（误差1％） 被测磁心配对安装好后，先调节振荡器频率为 36.6～40KHz， 使输出电平值为+17.4 dB， 即选频表在 22′端子测得的主波电平 （P2）为+17.4 dB，然后在33′端子处测得输出的三次谐波电平（P3）， 则三次谐波衰耗值为：b3(+2)= P2+S+ P3 式中：S 为放大器增益dB 从以往的资料引证， 就可以发现谐波失真的测量是一项很精细的工作，其中测量系统的高、低通滤波器，信号源和放大器本身的三次谐波衰耗控制很严，阻抗必须匹配，薄膜电容器的非线性也有相应要求。滤波器的电感全由不带任何磁介质的大空心线圈绕成，以保证本身的“洁净” ，不至于造成对磁心分选的误判。 为了满足多路通信整机的小型化和稳定性要求， 必须生产低损耗高稳定磁心。上世纪 70 年代初，1409 所和四机部、邮电部各厂，从工艺上改变了推板空气窑烧结，出窑后经真空罐冷却的落后方式，改用真空炉，并控制烧结、冷却气氛。技术上采用共沉淀法攻关试制出了μQ乘积 60 万和 100 万的低损耗高稳定材料，在此基础上，还实现了高μ7000～10000材料的突破，从而大大缩短了与国外企业的技术差异。当时正处于通信技术由FDM（频率划分调制）向PCM（脉冲编码调制） 转换时期， 日本人明石雅夫发表了μQ乘积125 万为 0.8×10 ，100KHz）的超优铁氧体材料<3>，其磁滞系数降为优铁
上传时间： 2013-12-15
上传用户：天空说我在
Delta-sigma ADCs, with their high accuracy and high noiseimmunity, are ideal for directly measuring many typesof sensors. Nevertheless, input sampling currents canoverwhelm high source impedances or low-bandwidth,micropower signal conditioning circuits. The LTC®2484family of delta sigma converters solves this problem bybalancing the input currents, thussimplifying or eliminatingthe need for signal conditioning circuits.
上传时间： 2015-01-02
上传用户：潜水的三贡
找了很久才找到的。现上传上来共享。 M74HC595 是一个八位串行输入，平行输出的位移缓存器；平行输出为三态输出。在SCK 的上升缘，串行数据由SDI输入到内部的八位位移缓存器，并由Q7’输出。 而平行输出，则是在LCK 的上升缘，将在八位位移缓存器的数据存入到八位平行输出缓存器。当OE 的控制讯号为低致能时， 平行输出端的输出值，等于平行输出缓存器所储存的质。而当OE 的控制讯号为高电位，也就是输出关闭时，平行输出端会维持在高阻抗状态。. M74HC595 保持了和一般74HC595 功能上以及脚位上的兼容性之外，并针对一些特性予以强化。这些强化的特性，使得M74HC595 非常适合用于像是LED 数组指示器、LED 讯号显示矩阵等需要较大的灌电流应用。每个通道可接受的灌电流都被加大了，使得M74HC595 可以支持更大的LED 电流。而增大的接地电流，可支持数个平行输入通道的同时打开，并灌大电流。比起传统的74HC595，平行输出端同时有较大灌电流时，可靠度增强了四倍以上。
上传时间： 2014-11-23
上传用户：heart520beat
AT89C52是美国ATMEL，公司生产的低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，与标准MCS-51指令系统及8052产品引脚兼容，片内置通用8位中央处理器（CPU）和Flash存储单元，功能强大AT89C52单片机适合于许多较为复杂控制应用场合主要性能参数：·与MCS-51产品指令和引脚完全兼容.8k字节可重擦写Flash闪速存储器.1000次擦写周期静态操作：OHz-24MHz·三级加密程序存储器•256х8 hA部RAM•32编程1/0口线.3个16位定时/计数器•8个中断源·程串行UART通道低功耗空闲和掉电模式·PO口：P0口是一组8位漏极开路型双向1/0口，也即地址/数据总线复用口。作为输出口用时，每位能吸收电流的方式驱动8个TTL逻辑门电路，对端口P0写"1"时，可作为高阻抗输入端用.在访问外部数据存储器或程序存储器时，这组口线分时转换地址（低8位）和数据总线复用，在访问期间滋活内部上拉电阻.在Flash编程时，PO口接收指令字节，而在程序校验时，输出指令字节，校验时，要求外接上拉电阻。
标签： at89c52
上传时间： 2022-06-18
上传用户：2431247090
